Действие - сила - отталкивание
Cтраница 2
Физически это может быть следствием действия сил отталкивания между сорбированными молекулами, проявляющихся на близких расстояниях, или наличия нескольких центров для сорбции. [16]
Точка массы m движется под действием силы отталкивания от неподвижного центра О, изменяющейся по закону F kztnr, где г - радиус-вектор точки. В начальный момент точка находилась в Л1о ( а, 0) и имела скорость utt, направленную параллельно оси у. [17]
Точка массы т движется под действием силы отталкивания от неподвижного центра О, изменяющейся по закону F k mr, где г - радиус-вектор точки. В начальный момент точка находилась в Мц ( а, 0) и имела скорость го, направленную параллельно оси у. [18]
Точка массы m движется под действием силы отталкивания от неподвижного центра О, изменяющейся по закону F k2mr, где г - радиус-вектор точки. В начальный момент точка находилась в М0 ( а 0) и имела скорость v0, направленную параллельно оси у. [19]
Точка массы m движется под действием силы отталкивания от неподвижного центра О, изменяющейся по закону F k2mr, где г-радиус-вектор точки. В начальный момент точка находилась в Mo ( a Q) и имела скорость V0, направленную параллельно оси у. [20]
В использованном ван-дер - Ваальсом приближении действие сил отталкивания заменено непроницаемостью молекул. Благодаря этому получается, что при соприкосновении молекул друг с другом силы взаимодействия не обращаются в нуль ( F0 при гг0), как это следует из правильной картины, а в этот момент между молекулами словно еще действуют весьма значительные силы притяжения Р0 и молекулы сильно давят друг на друга. [21]
В нем сохраняется член, учитывающий действие сил отталкивания, и вводится постоянный потенциал притяжения на конечных расстояниях. Поскольку эта потенциальная функция включает три параметра - е, а и g, получаемые в результате корреляции отличаются гибкостью. [23]
Сжимаемость кристаллических тел очень невелика, действие сил отталкивания убывает с ростом расстояния между взаимодействующими частицами очень быстро. Поэтому следует ожидать, что пространство кристалла организовано достаточно компактно. [24]
В использованном ван-дер - Ваальсом приближении действие сил отталкивания заменено непроницаемостью молекул. Благодаря этому получается, что при соприкосновении молекул друг с другом силы взаимодействия не обращаются в нуль, как это следует из правильной картины ( F 0 при г г0), а в этот момент между молекулами словно еще действуют весьма значительные силы притяжения F0 и молекулы сильно давят друг на друга. [25]
Увеличение угла между связями может быть приписано действию сил отталкивания между атомами водорода и гибридизации - явлению, которое будет рассмотрено в дальнейшем. [26]
Если проводнику сообщить заряд, то под действием сил отталкивания элементы этого заряда будут перемещаться по проводнику и сосредоточиваться на его поверхности в слое, который можно считать бесконечно тонким. Внутри проводника электростатическое поле существовать не может. Напряженность электрического поля Е внутри проводника должна равняться нулю. Все точки проводника должны иметь один и тот же потенциал, а это значит, что поверхность проводника представляет собой эквипотенциальную поверхность. [27]
Если проводнику сообщить заряд, то под действием сил отталкивания элементы этого заряда будут перемещаться по проводнику и сосредоточиваться на его поверхности в слое, которой можно считать бесконечно тонким. Внутри проводника электростатическое поле существовать не может. Напряженность электрического поля Е внутри проводника должна равняться нулю. Все точки проводника должны иметь один и тот же потенциал, а это значит, что поверхность проводника представляет собой эквипотенциальную поверхность. [28]
Согласно теории ДЛВО, стабилизация происходит в результате действия сил отталкивания между коллоидными частицами, которые несут двойные электрические слои. Двойные слои могут быть описаны классической теорией Гун - Чэпмена или ее модификацией. Частицы сами несут электрический заряд и окружаются диффузным слоем ионов равного и противоположного по знаку заряда; отталкивание происходит при перекрытии диффузных слоев. Так как теория взаимодействия перекрывающихся диффузных слоев непроста, здесь будет приведена единственная приемлемая рабочая формула. [29]
Под столкновениями мы условно понимаем попадание частиц в сферу действия сил отталкивания. [30]
Страницы: 1 2 3 4