Изолирующая диффузия

Cтраница 1

Изолирующая диффузия обычно осуществляется двумя этапами: первый - для введения примесей и создания области высокой концентрации примеси; второй является продолжительным циклом перераспределения, он должен обеспечить проникновение бора, образующего р-п переход на достаточную глубину. [1]

Коллекторная изолирующая диффузия позволяет значительно сократить площадь, занимаемую элементом схемы. На подложке - типа со скрытым п - слоем выращивается эпитаксиальный слой р толщиной 1 - 2 мкм. Сквозь эпитаксиальный слой р проводится диффузия донорной примеси до смыкания со скрытым - слоем. [2]

Окисление поверхности под. - ложки после изолирующей диффузии.| Вытравливание окон в слое SiOj под диффузию, используемую для формирования базы интегрального транзистора и резистора. [3]

После изолирующей диффузии незащищенные области р-типа подвергают окислению. [4]

Схема изопланарного процесса. [5]

Изопланарный процесс сложнее процесса изолирующей диффузии, но он позволяет создавать в 2 раза меньшие элементы и увеличить выход годных ИМС. Таким образом, при наличии высокого быстродействия, радиационной стойкости и других преимуществ, присущих диэлектрической изоляции, метод обеспечивает плотность в размещении элементов, сравнимую с плотностью МОП приборов. [6]

Резисторы интегральных микросхем. [7]

Отделение таких резисторов от остальной части производится методом изолирующей диффузии. Величина сопротивления зависит от размеров резнстив-ного слоя. [8]

Следующая операция - окисление поверхности и травление окон для изолирующей диффузии, которая по завершении будет состоять из замкнутых участков / - типа, простирающихся от поверхности кремния через эпитаксиальный слой n - типа к подложке исходного материала р-типа. После этой операции эпитаксиальные слои - типа будут изолированы друг от друга областями р-типа: подложкой р-типа снизу и изоляционной р - об-ластью по сторонам. [9]

Для учета влияния диффузии примесных атомов под край маскирующего оксида, а также растравливания оксида и ошибок, вносимых в процессе проведения фотолитографии, при составлении топологической схемы все элементы биполярной ИМС, кроме контактных площадок, необходимо размещать на расстоянии от края вскрытого окна под изолирующую диффузию, примерно равном удвоенной толщине эпитаксиального слоя. [10]

Полупроводниковая интегральная микросхема. а - структура. б - эквивалентная электрическая схема. [11]

При изготовлении МОП-структуры не требуется создания изолирующего перехода. Требуемую для формирования этого перехода изолирующую диффузию нельзя провести без боковой диффузии, которая приводит к увеличению площади элемента. [12]

Наиболее ответственной технологической операцией для транзисторов, полученных двойной диффузией, является создание контактных окон. Для транзисторов с эпи-таксиальной базой, изготовленных с применением изолирующей диффузии, наиболее ответственной операцией является фотолитография базы. [13]

Разработка эскиза топологии ИМС, вычерчиваемого от руки в произвольном масштабе, но с сохранением приблизительного соотношения габаритных размеров элементов, может быть начата только после расчета геометрических размеров активных и пассивных элементов. При разработке эскиза топологии сначала определяют количество изолированных областей ( карманов), которые при изоляции обратно смещенным р - / г-переходом получают путем проведения процесса изолирующей диффузии примесных атомов одного из элементов третьей группы, например бора. Для рассматриваемого случая каждая изолированная область представляет собой область с электропроводностью п-типа, которая соответствует коллектору транзистора. Во многих случаях такие области содержат также скрытые высоколегированные слои с электропроводностью n - типа, введение которых в транзисторную структуру позволяет существенно улучшить их характеристики, что особенно существенно при работе транзистора в быстродействующих ключевых схемах. Из анализа принципиальной электрической схемы определяют количество коллекторов, имеющих различные потенциалы. Этим главным образом и определяется число необходимых изолированных областей. [14]

Структура транзистора эпитаксиально. [15]

Страницы: 1 2