Изолирующая диффузия

Cтраница 2

Эпитамеиально - пЛ а нарная структура ( рис. 1.2, а) позволяет найти компромиссное решение. Здесь область коллектора, а также изолирующие области других элементов формируются путем э п и т а к с и и ( осаждения слоя монокристаллического равномерно легированного кремния / г-типа на подложку р-типа) и последующей изолирующей диффузии примеси р - типа. Последняя приводит к образованию изолированных областей, внутри которых диффузионным путем создаются элементы. [16]

Транзистор с базовой изолирующей диффузией 14. [17]

Таким образом, коллекторные контакты п - типа, а для резисторов просто окружающие их и - слои одновременно служат изолирующими слоями. В КИД-структурах, как и в ИМС, изготовленных обычным методом, изоляция элементов обеспечивается с помощью обратно смещенного p - n - перехода. Но в КИД-структурах не проводится отдельная изолирующая диффузия, а используется коллекторная изолирующая диффузия, благодаря чему уменьшается число технологических операций и получается заметная экономия площади кристалла. [18]

Изготовление биполярных транзисторов методом планарно-диффузионной технологии.| Изготовление биполярной транзисторной структуры с помощью эпи-таксиально-планарной технологии. [19]

Распределение примеси в такой тонкой пленке почти одинаково. Это позволяет получить практически очень четкий р-п переход. На рис. 9.4, б показана пластина после изолирующей диффузии, а на рис. 9.4, в - после диффузии. [20]

Отдельные изолированные области в процессе эксплуатации ИМС должны быть разделены слоем полупроводникового материала противоположного типа электропроводности и областями объемного заряда обратно смещенных p - n - переходов. Изоляция будет надежной только тогда, когда изолирующие р-п-переходы не пробиваются и области их объемных зарядов не перекрываются. Это условие обеспечивается путем соответствующего выбора ширины вскрытого окна под изолирующую диффузию, которая в свою очередь зависит от параметров исходного полупроводникового материала и напряжения смещения р-я-перехода между изолированной областью и подложкой. [21]

Скрытый Л - СЛОЙ располагается под базовой областью интегрального транзистора и в принципе может простираться до площади непосредственно под коллекторным контактом. Фактическое расстояние между изолирующей стенкой р-типа и внутренними элементами транзисторной структуры сильно зависит от диффузии в боковых направлениях. При проектировании транзистора полупроводниковой ИМС следует особо учитывать, что длительность процесса изолирующей диффузии намного превышает длительность диффузии базовой примеси. Поэтому влияние диффузии в боковых - - направлениях при формировании изолированных областей и последующих процессах высокотемпературной обработки является очень существенным. Оптимальным считается такое расположение изолирующей стенки р-типа и внутренних элементов транзисторной структуры, при котором расстояние между ними составляет не менее удвоенной глубины эмиттерного перехода. [23]

Влияние боковой диффузии на распределение атомов примеси края маски при диффузии из неограниченного ( а и ограниченного ( б. [24]

Скрытый п - слой располагается под базовой областью транзистора и в принципе может простираться до площади непосредственно под коллекторным контактом. Фактическое расстояние между изолирующей стенкой / 7-типа и внутренними элементами транзисторной структуры сильно зависят от диффузии в боковых направлениях. При проектировании транзистора полупроводниковой ИМС следует особо учитывать, что длительность процесса изолирующей диффузии намного превышает длительность диффузии атомов примеси, в процессе которой формируется базовая область. Поэтому влияние диффузии в боковых направлениях при формировании изолированных областей и последующих процессах высокотемпературной обработки является очень существенным. Оптимальным считается такое расположение изолирующей стенки р-типа и внутренних элементов транзисторной структуры, при котором расстояние между ними составляет не менее удвоенной глубины эмиттерного перехода. [25]

Диффузия примеси р-типа, при которой происходит образование базы и резистора, проводится при температуре 1100 С. Это обеспечивает замедление процесса, что в свою очередь позволяет с большей степенью точности контролировать глубину р-я-пе-рехода, которая должна составлять - 3 мкм. Как и изолирующая диффузия, процесс формирования базы и резистора является двустадийным. В зависимости от номинального значения сопротивления резистора его конфигурация может быть самой различной. Как видно из рисунка, в рассматриваемом случае резистор выполнен в виде меандра, расположенного в центре островка кремния n - типа. Этот этап технологического процесса заканчивается повторным окислением поверхности подложки. [26]

Окисел, частично оставшийся на поверхности подложки, играет роль своеобразного барьера, через который практически не диффундируют атомы примесей, поскольку их коэффициент диффузии в Si02 ничтожно мал по сравнению с коэффициентом диффузии в кремнии. Схематически процесс изолирующей диффузии иллюстрируется рис. 2.8. Этот процесс, который, как правило, проводят в два этапа, выбирают так, чтобы атомы акцепторной примеси продиффундирокали через эпитаксиальный - слой до поверхности исходной подложки р-типа. В результате образуется структура, показанная на рис. 2.9, а. Сформированные подобным образом области создают островки кремния - типа, окруженные областями р-типа. Следовательно, островки кремния ге-типа оказываются погруженными в кремний р-типа. Эти диоды выполняют роль изоляции, поскольку ток от одного островка кремния к другому не может протекать в любом направлении. Поэтому все островки кремния - типа являются электрически изолированными друг от друга. [27]

Страницы: 1 2