Дефект - упаковка
Cтраница 4
 |
Модели тройных рядов дислокаций. [46] |
Но дефекты упаковки в двух половинах ряда в этом случае разные. Вследствие разных энергий дефектов упаковки в двух половинах эти ряды несимметричны. [47]
Когда дефект упаковки возникает не на частице окисла, а в результате расщепления на частичные дислокации, лежащие в плоскости подложки, он может сохраниться несмотря на отжиг. [48]
Если дефект упаковки является наклонной плоскостью, то величина и изменяется линейно с изменением координаты х, измеряемой в направлении, перпендикулярном линии пересечения дефектной плоскости с поверхностью фольги. Наличие такого дефекта приводит к появлению контуров, параллельных линии пересечения дефекта с фольгой, интенсивность которых пропорциональна квадрату косинуса. [49]
 |
Дефекты упаковки вычитания ( а и внедрения ( 6 в г. ц. к. решетке. Ь - - вектор Бюргерса дислокации Франка. [50] |
Возникает дефект упаковки вычитания. При внедрении между слоями 111 неполного плотноупакованного слоя атомов возникает дефект упаковки внедрения. [51]
 |
Зависимость кажущейся энергии активации ползучести магния от обратной величины приложенного напряжения. [52] |
Энергия дефекта упаковки для цинка почти в 2 раза выше, чем для магния [223, 224], так что величина 132 5 кДж - моль 1 для магния приемлема. [53]
Края дефектов упаковки, обрывающиеся внутри кристалла, образуют частичные дислокации. [54]
Энергия дефекта упаковки при легировании чаще всего снижается. При значительных концентрациях последнего энергия дефекта упаковки может стать на порядок меньше. [55]
Образование дефектов упаковки очень часто имеет место при механическом воздействии на вещество, например, при сухом растирании. Наиболее детально этот процесс изучен на примере кобальта и сульфида цинка, когда количество дефектов упаковки очень велико. При образовании дефектов упаковки происходит размытие линий с определенными индексами, а при образовании политипных модификаций вблизи этих линий появляются дополнительные, обычно более слабые. Встречаются, хотя и редко, модификации с полностью неупорядоченным наложением слоев, и в этом случае на рентгенограммах наблюдаются только размытые линии, отвечающие отражениям от плоскостей, параллельных слоям, так как расстояние между слоями практически неизменно. [56]
 |
Дефекты упаковки в ав-тоэпитаксиальном слое кремния с ориентацией ( 111.| Образование дефекта упаковки в слое кремния на подложке с ориентацией по плоскости ( 111. [57] |
Форма дефектов упаковки зависит от кристаллографической ориентации слоя. [58]
 |
Схема заторможенной частичной дислокации. [59] |
Граница дефекта упаковки представляет собой частичную дислокацию. Частичная дислокация может перемещаться при наличии напряжения т, причем возникает скольжение, не равное постоянному межатомному расстоянию в идеальном кристалле. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5