Дефект - френкель
Cтраница 3
Первые из них, называемые дефектами Френкеля, заключаются в том, что некоторые ионы из узлов кристаллической решетки смещены в другие положения. Нормальные места их в данный момент Остаются свободными и затем замещаются другими ионами. Вторые, называемые дефектами Шотки, заключаются в существовании свободных мест в различных узлах решетки. [31]
Последний показал, что энергия образования дефектов Френкеля для соединений типа А3В5 ниже, чем для кремния и германия, что говорит о ионности связи в соединениях. Последний факт прямо опровергает модель Фольберта. [32]
Ионные кристаллы, проводимость которых обусловлена дефектами Френкеля - Шоттки. [33]
Другими точечными дефектами являются дислоцированные атомы ( дефект Френкеля), т.е. атомы собственного металла, вышедшие из узла решетки и занявшие место где-то в междоузлии. При этом на месте переместившегося атома образуется вакансия. Концентрация таких дефектов невелика, т.к. для их образования требуется существенная затрата энергии. [34]
Какие из перечисленных дефектов является точечными: дефект Френкеля, дислокация, дефект Шоттки, дисклинация, вакансия. [35]
 |
Виды точечных дефектов. вакансия ( а. замещенный атом ( б. внедренный атом ( с. [36] |
Другими точечными дефектами являются дислоцированные атомы ( дефект Френкеля), т.е. атомы собственного металла, вышедшие из узла решетки и занявшие место где-то в междоузлии. При этом на месте переместившегося атома образуется вакансия. Концентрация таких дефектов невелика, потому что для их образования требуется существенная затрата энергии. [37]
Какие из перечисленных дефектов является точечными: дефект Френкеля, дислокация, дефект Шоттки, дисклинация, вакансия. [38]
Для кристаллов данного типа носителями заряда являются термически активированные дефекты Френкеля и Шоттки, число и подвижность которых зависит от температуры. [39]
Например, большая диэлектрическая постоянная благоприятствует появлению дефектов Френкеля, поскольку, как следует из уравнения ( 10), увеличение е ведет к увеличению энергии поляризации, компенсируя таким образом большую энергию отталкивания. Некоторое значение может иметь также энергия ван-дер - Ваальса, обусловленная дисперсионными силами. Ион в междуузлии обладает гораздо большей энергией ван-дер - Ваальса, чем нормальный ион решетки, так как он расположен ближе к своим соседям. Увеличение энергии ван-дер - Ваальса при перемещении иона в междуузлие, очевидно, будет тем больше, чем больше энергия ван-дер - Ваальса для идеального кристалла. Следовательно, в кристаллах с большой энергией ван-дер - Ваальса этот эффект наряду с поляризацией способствует уменьшению энергии отталкивания и может привести к возникновению дефектов Френкеля вместо дефектов Шоттки. [40]
В общем случае в кристалле могут быть и дефекты Френкеля, и дефекты Шоттки, причем преобладают те, для образования которых требуется меньшая энергия. [41]
Точное вычисление энергии IV, требующейся для образования дефектов Френкеля, является более сложной проблемой, так как трудно оценить значение отталкивающих сил на очень коротких расстояниях. [42]
Под действием электрического поля анионы кислорода мигрируют по дефектам Френкеля. [43]
В этой схеме отчетливо видна аналогия с переносом тока дефектами Френкеля в кристаллах; роль междуузельных катионов здесь играют избыточные катионы возле немостикового кислорода. Первый тип описанного механизма соответствует образованию дефектов, а второй - их миграции. [44]
 |
Электронные переходы между дискретным уровнем ловушки и зонами в полупроводнике.| Центр прилипания электрона ( о. центр рекомбинации ( Ь. центр прилипания дырки ( с. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5