Дефект - френкель
Cтраница 4
Шоттки), атомы, смещенные из равновесных положений ( дефекты Френкеля), дислокации, границы микрокристалликов и другие. [46]
Рассмотрим для иллюстрации случай окиси МО, в которой имеются дефекты Френкеля. [47]
 |
Зависимость дифференциальной плотности ловушек ( в центре запрещенной зоны от температуры отжига ( dOK 0 6 мк, ( 111, время отжига 1 ч. [48] |
В то же время для объемных радиационных центров известна амфотерность для дефектов Френкеля, а также для более сложных кислородно-кремниевых комплексов. Это свидетельствует в пользу радиационной аналогии природы центров, основанной на трехслойной модели, которая будет обсуждена ниже. [49]
 |
Энергии образования дефектов Шоттки Ws, Френкеля WF и антцфренкелевских дефектов WAF в ионных кристаллах ( в эВ. [50] |
Разупорядоченность Френкеля доминирует в кристаллах га-логенкдов серебра и меди, в которых энергии образования дефектов Френкеля ниже, чем дефектов Шоттки. [51]
Уже давно известны твердые электролиты, электропроводность которых обусловлена ионными дефектами кристаллической решетки: дефектами Френкеля и дефектами Шоттки. [52]
В уравнениях ( 8) явно учтено, что существуют различные вероятности - теплового образования дефекта Френкеля без участия свободного электрона Я, и теплового образования дефекта Френкеля с одновременным захватом электрона из зоны проводимости г п, где т ] - постоянная величина при заданной температуре. Член t N мЩ, описывает обратный t n процесс захвата междоузельного атома вакансией, содержащей лишний электрон, а член К Ым ( Nv - nv) - процесс аннигиляции междоузельного атома с нейтральной вакансией. Коэффициенты yv, y o, yD, y D определяют вероятности тепловой ионизации вакансии и донора и захвата свободного электрона. [53]
Активными центрами, возникающими при бомбардировке, могут в принципе быть либо точечные дефекты, например дефекты Френкеля и Шоттки, растворенные атомы аргона, либо комбинации этих дефектов или дислокации. Концентрацию точечных дефектов при любой температуре можно вычислить с помощью таких уравнений, как ( 13) и ( 14) ( разд. Поэтому, зная работу, которую необходимо затратить для образования одной отдельной вакансии [53], Сосновский показал, что после отжига образца при 250 концентрация в нем точечных дефектов должна быть ничтожно малой. [54]
 |
Точечные дефекты в кристаллах. [55] |
Существует четыре основные типа точечных дефектов - вакансии, примесные атомы замещения и внедрения, дислоцированные атомы, дефекты Френкеля. Вакансии ( рис. 2.1, а) являются наиболее часто встречающимися точечными дефектами и представляют собой свободные узлы в кристаллической решетке. [56]
Если в конечном состоянии появляется даже незначительное число дефектов, например, в виде й-частиц, сдвинутых в междоузлия ( дефекты Френкеля) ( см. квадрат г на рис. 20), то это уже внесет энтропию и не даст однозначного решения логической задачи. [57]
Поскольку при облучении Ge быстрыми электронами и у-квантами больших энергий, как и в случае термозакалки, первичными нарушениями решетки являются дефекты Френкеля, то, несмотря на отмеченную в [465] неидентичность дефектов, возникающих при у-облучении и вводимых посредством закалки, можно было ожидать определенной аналогии в их свойствах, особенно при проведении опытов с чистыми кристаллами. [58]
Величина пороговых энергий позволяет правильно предугадывать возможность возникновения соответствующих радиационных дефектов в минералах ( дополнительных электронных вакансий и повышения концентраций электронов, дефектов Френкеля и Шотт-ки, ионизации поверхности минералов), если энергия облучения превышает пороговую. [59]
 |
Точечные дефекты кристаллической решетки, вызванные чужеродными атомами ( В, D, замещающими собственные ( А, при соотношении радиусов rArB ( a urArD ( 6. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5