Примесный дефект

Cтраница 2

Сильно влияют на свойства твердых тел точечные примесные дефекты. При образовании последних частицы примесей ( молекулы, атомы или ионы) располагаются или в узлах пространственной решетки кристалла, вытесняя из них частицы основного вещества, или занимают места в междоузлиях. Примесные дефекты в кристаллах могут существовать или в нейтральном, или в заряженном состоянии. В определенных условиях атомы примесей могут ионизироваться, существенно изменяя свойства кристалла. [17]

Поскольку атомы диспергированного в решетке активатора ( создаваемые ими примесные дефекты) находятся далеко друг от друга, то резонансного расщепления уровней и слияния их в зону не происходит. Следовательно они остаются локальными и потому на зонной диаграмме схематически изображаются черточками. Такой уровень может, в частности, появиться в том случае, когда активатор создает эффективно отрицательно заряженный дефект, облегчая, в силу электростатического отталкивания, переход электрона от соседнего аниона основной решетки к катиону ( см. гл. Под действием возбуждающего света электрон может быть поднят в зону проводимости, причем поскольку для этого требуется квант меньшей энергии, чем для переброса электрона из валентной зоны в зону проводимости, то и происходит появление длинноволновой полосы поглощения. В ряде случаев она оказывается в видимой области спектра, в результате чего изменяется цвет кристаллов. [18]

Дефект по Френкелю.| Деформация кристаллической решетки при наличии вакансии. [19]

Наиболее важными и оказывающими существенное влияние на свойства полупроводников являются примесные дефекты. [20]

Существенное влияние на структуру, оптические и электрические свойства пленок оказывают примесные дефекты. Они возникают практически на всех технологических стадиях создания МОП-структур, начиная с окисления кремниевых пластин и кончая нанесением металлического электрода. [21]

Изменение концентрации дефектов в кристалле MX, содержащем примесные акцепторы ( А, с увеличением активности примесных доноров ( D. а - при постоянной концентрации примесного акцептора, б - при постоянной активности примесного акцептора. Пунктирные линии отвечают состоянию системы в отсутствие акцептора. [22]

Если ассоциаты заряжены, то они так же, как и простые заряженные примесные дефекты, могут оказывать влияние на концентрации собственных дефектов, поскольку их концентрации входят в уравнение нейтральности. В настоящей книге более подробно эти вопросы не рассматриваются. [23]

В целом мы предпочитаем первый подход, когда реакция внедрения записывается через нейтральные примесные дефекты. На такие дефекты не влияет присутствие общего иона, и они составляют хорошую основу для создания более общей картины взаимодействия заряженных дефектов. [24]

К настоящему времени в рамках строгих квантовохимических методов изучено достаточно большое число примесных дефектов в Ш - нитридах, см. табл. 2.3, установлен ряд типов глубоких DX, АХ-центров, исследован механизм формирования некоторых из них. [25]

Необходимо отметить, что почти все обнаруженные центры ФЛ являются производными от основных примесных дефектов ( А, 51, С), возникающих при взаимодействии последних с радиационными или дислокационными дефектами. Следовательно, по центрам свечения можно судить о трансформациях н возникновении в алмазах основных оптически активных центрах свечения ( ОАЦ) после термообработки. [26]

Необходимо отметить, что почти все обнаруженные центры ФЛ являются производными от основных примесных дефектов ( А, В, С), возникающих при взаимодействии последних с радиационными или дислокационными дефектами. Следовательно, по центрам свечения можно судить о трансформациях н возникновении в алмазах основных оптически активных центрах свечения ( ОАЦ) после термообработки. [27]

В отличие от полупроводников электропроводность металлов мало зависит от имеющихся в их структуре примесных дефектов. Однако примесные дефекты могут оказывать существенное влияние на другие свойства металлов. Так, механические характеристики металлов сильно зависят от наличия в их структуре междоузельных примесных дефектов. С учетом плотнейшей упаковки металлических кристаллов в междоузлия способны попадать лишь микрочастицы небольших размеров, такие, как атомы водорода, углерода, кислорода, азота. Кристаллы многих металлов часто поглощают большое количество указанных примесей. [28]

Краевые ( а и винтовые ( б дислокации и плоские дефекты ( в. [29]

В отличие от полупроводников электрическая проводимость металлов мало зависит от имеющихся в их структуре примесных дефектов. Однако примесные дефекты могут оказывать существенное влияние на другие свойства металлов. Так, механические характеристики металлов сильно зависят от наличия в их структуре междоузельных примесных дефектов. С учетом плотнейшей упаковки металлических кристаллов в междоузлия способны попадать лишь микрочастицы небольших размеров, такие, как атомы водорода, углерода, кислорода, азота. Кристаллы многих металлов часто поглощают большое количество указанных примесей. Например, количество водорода, поглощенного палладием или цирконием, обычно настолько велико, что его атомы заполняют почти все междоузлия в кристаллах указанных металлов. [30]

Страницы: 1 2 3 4