Примесный дефект
Cтраница 4
 |
Эффект Холла. [46] |
У реальных полупроводников ход этих кривых может значительно отклоняться от указанного, как вследствие того, что физические явления описываются в теории приближенно, так и потому, что в материалах, применяемых на практике, имеется не один, а несколько видов примесных дефектов, у которых энергии активации могут быть различными. [47]
Сильно влияют на свойства твердых тел точечные примесные дефекты. При образовании последних частицы примесей ( молекулы, атомы или ионы) располагаются или в узлах пространственной решетки кристалла, вытесняя из них частицы основного вещества, или занимают места в междоузлиях. Примесные дефекты в кристаллах могут существовать или в нейтральном, или в заряженном состоянии. В определенных условиях атомы примесей могут ионизироваться, существенно изменяя свойства кристалла. [48]
Наряду с тепловыми вакансиями, в ионных кристаллах возникают вакансии под влиянием примесей. Если зарядность иона примеси отличается от зарядности одноименного иона основного кристалла, то для сохранения электронейтральности часть узлов кристалла должна оставаться пустой. Такие примесные дефекты мало зависят от температуры и сказываются главным образом при низких температурах, когда количество тепловых вакансий мало. [49]
 |
Образование дислокаций вследствие дефектов упаковки. [50] |
Дислокации взаимодействуют и с точечными дефектами. Это взаимодействие представляет большой практический интерес, так как прочностные свойства материала существенно зависят от характера и силы их связи. Особенно важную роль при этом играют примесные дефекты. [51]
На наш взгляд, именно с этой точки зрения надо рассматривать вопрос о влиянии примесей на проводимость графитов, полученных способом ТМО. Однако атомы тугоплавких металлов и кремния в соответствии с положением, занимаемым в периодической системе Менделеева, не могут замещать атомы углерода в кристаллической решетке графита. Рост кристаллитов в процессе ТМО и отсутствие в них примесных дефектов обусловливают высокие значения тепло - и электропроводности графитов, содержащих в исходной шихте тугоплавкие металлы и кремний. [52]
Имеются значительные разногласия относительно участия Е - центров в люминесценции. Расчеты в приближении решеток Бете [21] указывают, что полосы поглощения 5 03 эВ и полосы люминесценции 4 3 эВ связаны с переходами на двухкоординированные атомы кремния. Высказываются мнения, что некоторые из перечисленных полос относятся к примесным дефектам. Однако механизм такого действия протонсодержащих группировок на центры люминесценции остается до конца не раскрытым. [53]
В отличие от полупроводников электропроводность металлов мало зависит от имеющихся в их структуре примесных дефектов. Однако примесные дефекты могут оказывать существенное влияние на другие свойства металлов. Так, механические характеристики металлов сильно зависят от наличия в их структуре междоузельных примесных дефектов. С учетом плотнейшей упаковки металлических кристаллов в междоузлия способны попадать лишь микрочастицы небольших размеров, такие, как атомы водорода, углерода, кислорода, азота. Кристаллы многих металлов часто поглощают большое количество указанных примесей. [54]
I не меняются, а в областях II либо увеличиваются пропорционально концентрации заряженных примесных дефектов, если те несут противоположный заряд, либо при одинаковом знаке зарядов уменьшаются по тому же закону. [55]
Страницы: 1 2 3 4