Точечный дефект

Cтраница 1

Точечные дефекты часто дополнительно классифицируются по следующим типам со специальными названиями и обозначениями. [1]

Точечные дефекты могут объединяться несколькими различными путями. Две или большее число вакансий могут объединиться вместе, образуя парные или групповые вакансии. Группы вакансий называются также агрегированными вакансиями или конденсированными вакансиями. Такие группы вакансий могут образовывать либо сферические поры, либо плоские круговые полости. [2]

Точечные дефекты могут быть нейтральными или несущими заряд. Если дефекты несут заряд, то анионные вакансии и внедренные катионы заряжены положительно, в то время как катионные вакансии и внедренные анионы имеют отрицательный заряд по отношению к окружающей решетке. Для сохранения электрической нейтральности кристалла возникновение точечных дефектов одного знака сопровождается зарождением дефектов другого знака. При стехиомет-рическом составе кристалла дополняющие дефекты образуются лишь для сохранения эквивалентности атомов металла с атомами кислорода. [3]

Точечный дефект определяется как любое локальное нарушение структуры кристалла в отличие от линейных дефектов, как, например, дислокации. [4]

Точечные дефекты или вакансии - возникают за счет смещения отдельных частиц в кристалле с их мест в кристаллической решетке с образованием вакансии и атома или иона в междууз-лии. [5]

Точечный дефект - это нарушение кристаллической структуры, размеры которого во всех трех измерениях сравнимы с одним или несколькими ( немногими. Точечный дефект может иметь простую или сложную структуру. Простейшие точечные дефекты кристалла: вакансии - отсутствие атома или иона в узле кристаллической решетки; внедренные, или междуузелъные, атомы или ионы, располагающиеся на незаконном месте между узлами. [6]

Точечные дефекты могут двигаться через кристалл, взаимодействовать друг с другом и с другими дефектами. Встречаясь друг с другом, вакансия и между-узельный атом могут аннигилировать. [7]

Точечные дефекты в кристалле образуются в процессе роста, пластической деформации или термообработки. Равновесная концентрация вакансий в кристалле растет с повышением температуры по экспоненциальному закону. Именно из-за этого можно резко изменить механические свойства материала путем закалки. При сильно неравновесных условиях возможно пересыщение кристалла вакансиями, тогда они объединяются и образуют поры, перерастающие иногда в отрицательные кристаллы. [8]

Точечные дефекты возникают как вследствие условий роста кристалла, так и в результате тепловых колебаний, поэтому число дефектов растет с повышением температуры. [9]

Виды точечных дефектов. вакансия ( а, замещенный атом ( 6 и внедренный атом ( с. [10]

Точечные дефекты вызывают местное искажение кристаллической решетки. Смещения вокруг вакансии возникают в первых двух - трех слоях соседних атомов и составляют доли межатомного расстояния. Вокруг межу-зельного атома смещение соседей значительно больше, чем вокруг вакансий. [11]

Виды точечных дефектов. вакансия ( а. замещенный атом ( б. внедренный атом ( с. [12]

Точечные дефекты вызывают местное искажение кристаллической решетки. Смещение вокруг вакансии возникают в первый двух - трех слоях соседних атомов и составляют доли межатомного расстояния. Вокруг межу-зельного атома смещение соседей значительно больше, чем вокруг вакансий. [13]

Динамика образования [ IMAGE ] Пространственное рас. [14]

Точечные дефекты - это нарушения решетки в изолированных друг от друга точках решетки. [15]

Страницы: 1 2 3 4