Cтраница 2
Точечные дефекты ( рис. 1.4) малы во всех трех измерениях. Размер их не превышает нескольких атомных диаметров. К точечным дефектам относятся вакансии, т.е. узлы решетки, в которых атомы отсутствуют. Вакансии образуются в результате перехода атома из узла решетки на поверхность или полного испарения его с поверхности кристалла. В кристалле все атомы совершают колебательные движения возле узлов решетки. Отдельные атомы, кинетическая энергия которых выше средней, свойственной данной температуре нагрева ( особенно если они расположены у поверхности), могут выйти на поверхность кристалла. Их место займут атомы, находящиеся дальше от поверхности. [16]
Точечные дефекты ( рис. 9) - малы во всех трех измерениях, и размеры их не превышают нескольких атомных диаметров. Вакансии чаще образуются в результате перехода атома из узла решетки на поверхность или полного испарения с поверхности кристалла и реже в результате их перехода в междоузлие. [17]
Точечные дефекты, возникающие в кристалле под действием излучения, образуют локальные напряженные области, которые вызывают увеличение параметров решетки ( среднее расстояние между соответствующими узлами решетки) и снижение плотности. [18]
![]() |
Дефект по лы решетки заняты, то он может разместить - Френкелю Ся только в междоузлии. Оставшийся пус. [19] |
Точечные дефекты могут появиться в твердых телах вследствие нагревания ( тепловые дефекты), облучения быстрыми частицами ( радиационные дефекты), отклонения состава химических соединений от стехиометрии ( стехиометрические дефекты), пластической деформации. [20]
Точечные дефекты в ионных кристаллах оказывают большое влияние на электропроводность. Поэтому ее называют ионной проводимостью. Изучение ионной проводимости позволяет получать информацию о концентрации и состоянии точечных дефектов. [21]
Точечные дефекты и примесные атомы взаимодействуют также и с винтовыми дислокациями. В большинстве реальных кристаллов в силу анизотропии искажения, создаваемые дефектами, являются несимметричными. Это и приводит к взаимодействию их со скалывающими напряжениями вокруг винтовой дислокации. Таким образом, разница между винтовой и краевой дислокациями в этом отношении не так велика, как может показаться сначала. [22]
Точечные дефекты бывают нескольких типов. Ионы, расположенные в узлах кристаллической решетки, совершают тепловые колебательные движения около положения равновесия. Среднее по всему кристаллу отклонение от положения равновесия определяется температурой. Всегда имеются ионы, которые отклонились в данный момент от положения равновесия больше, чем другие. Отдельные ионы могут отклоняться настолько, что уже не возвращаются обратно. [23]
Точечные дефекты считаются недопустимыми, если амплитуда эхо-сигналов от них превышает амплитуду эхо-сигнала от искусственного отражателя, размеры которого определяются максимально допустимой эквивалентной площадью. [24]
![]() |
Точечные дефекты в кристаллической решетке стали. [25] |
Точечные дефекты ( рис. 11) - малы во всех трех измерениях, и размеры их не превышают нескольких атомных диаметров. [26]
Точечные дефекты могут иметь энергетическую природу. Такими энергетическими дефектами являются, например, фо-ноны. [27]
Точечные дефекты, мигрируя в кристалле, могут взаимодействовать как друг с другом, так и с другими дефектами. Так, например, встречаясь при своем движении, вакансия и межузельный атом могут аннигилировать. Атомы примесей также могут взаимодействовать с вакансиями, при этом образуются комплексы вакансия - примесь. Имеет место взаимодействие точечных дефектов и с дефектами линейными - дислокациями. [28]
Точечные дефекты возникают в результате движения дислокаций со ступеньками, неполной аннигиляции сегментов дислокаций противоположных знаков, лежащих в близких плоскостях скольжения, в результате рекомбинации отрезков дислокаций противоположных знаков, проходящих близко друг от друга в соседних плоскостях скольжения и поперечного скольжения дислокаций. [29]
Точечные дефекты - это нарушения кристаллического строения в изолированных друг от друга точках решетки. [30]