Cтраница 1
![]() |
Структуры полупроводников. [1] |
Наиболее распространенный точечный дефект решетки состоит в замещении одного из атомов кремния атомом примеси. [2]
![]() |
Дислокация в кристаллической решетке ( схема. [3] |
Такой точечный дефект решетки играет важную роль в протекании диффузионных процессов в металлах ( подробнее см. ниже в гл. [4]
Такой точечный дефект решетки играет важную роль при протекании диффузионных процессов в металлах ( подробнее см. в гл. [5]
В таких точечных дефектах микрофибриллярной решетки передача аксиальных усилий гораздо менее эффективна и приводит к существенно большим деформациям, чем в остальном объеме материала. Как следствие этого, заметно облегчается проскальзывание в аксиальном направлении коротких структурных элементов вблизи концов микрофибрилл. При этом деформации в таких дефектных областях могут быть столь велики, что они приводят к образованию микротрещин. Проходные макромолекулы, имеющиеся в этих областях, деформируются столь сильно, что это приводит к их разрыву. Наличие разорванных цепей можно обнаружить методом ЭПР, если, конечно, образующиеся первичные или вторичные радикалы достаточно стабильны. [6]
При перегруппировке чужеродных атомов и точечных дефектов решетки в процессе диффузии вдоль пути дислокации перемещение последней в кристаллической решетке значительно облегчается по сравнению со случаем, когда атмосфера этих атомов перемещается в решетке вместе с дислокацией. [7]
Таким образом, наряду с трансляционными дислокациями и точечными дефектами решетки целесообразно учитывать возможность возбуждения и иных элементарных состояний кристалла. [8]
По отношению к длинноволновым акустическим фононам примесный атом представляет собой точечный дефект решетки. [9]
В области низких температур в рассеянии носителей заряда могут играть роль также и точечные дефекты решетки. [10]
Он исследовал также отклонения х; от закона Т2, которое предположительно приписал влиянию точечных дефектов решетки; для нейзильбера и нержавеющей стали были получены аналогичные результаты. [11]
В теориях, основанных на разупорядоченности кристаллической структуры, обычно рассматривают процессы миграции по точечным дефектам решетки - междоузлиям и вакансиям. [12]
Процесс графитизации чугуна совершается путем дислокационного механизма и сводится к образованию центров графитизации и роста вокруг них графитных включений. Дислокации и точечные дефекты решетки играют при этом большую роль. [13]
Приведенные выше соображения касались условий, влияющих на диффузию атмосферы вдоль пути дислокации в упорядоченной кристаллической решетке. Однако можно принять, что растворенные атомы не диффундируют в виде облака вдоль пути дислокации, а просто группируются совместно с другими точечными дефектами решетки в упорядоченную атмосферу по пути движения дислокации в кристаллической решетке. [14]
Часто бывает трудно определить физические, химические, точечные и макроскопические дефекты кристалла. IV6 мы рассмотрим технологию этого вопроса ( контроль изготовления), а здесь опишем методы, которыми мы располагаем для экспериментального изучения точечных дефектов решетки. [15]