Точечный дефект - решетка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Глупые женятся, а умные выходят замуж. Законы Мерфи (еще...)

Точечный дефект - решетка

Cтраница 2


Появление дефектов в кристаллической решетке неизбежно искажает структуру электронных уровней, что приводит к изменению оптических и электрических свойств кристалла. Эти изменения существенны для диэлектриков и полупроводников, но не для металлов, внутри которых имеется большое число свободных электронов, которые, с одной стороны, практически не подвержены действию точечных дефектов решетки, а, с другой стороны, определяют электрические и оптические свойства кристалла.  [16]

В книге систематически излагается теория распределения и диффузии внедренных атомов, а также кинетика их перераспределения в кристаллической решетке металлов и сплавов. Многие из этих вопросов в монографической литературе излагаются впервые. В книге подробно рассмотрены различного типа фазовые превращения, на подрешетке междоузлий, связанные главным образом с процессами упорядочения внедренных атомов. Дается обзор теории точечных дефектов решетки металлов и сплавов.  [17]

18 Дефекты строения кристаллической решетки. 1 - вакансия. 2 - межузелыше атомы. 3 - примесный атом замещения. 4 - примесный атом внедрения. 5 - краевая дислокация. 6 - малоугловая граница. 7 - моноатомный слой примесных атомов. 8 - больше-угловая граница. [18]

Принадлежавшие указанным атомам узлы окажутся свободными, т.е. возникнут тепловые вакансии. При переходе атома из узла решетки в междоузлие образуется дефект решетки, получивший название м е ж - узельного атом а. Поэтому количество вакансий в кристалле обычно больше, чем межузельных атомов. При наличии в кристаллической решетке инородного атома других элементов они располагаются либо в узлах кристаллической решетки, либо в междоузлиях. В первом случае образующийся точечный дефект решетки называется примесным атомом замещения, во втором - примесным атомом внедрения.  [19]

Согласно Вейну [156], для получения ферритов со спонтанной ППГ следует иметь плотные, однофазные, однородные материалы с высокой степенью симметрии кристаллической решетки. Константа кристаллографической анизотропии К должна быть отрицательной и превышать все остальные виды анизотропии. Противоположная точка зрения о природе ППГ высказана Бальцером [158, 159], согласно которой условие формирования ППГ в поликристаллических ферритах - близость к нулю эффективной константы магнитной анизотропии. Здесь уместно заметить, что модель Вейна связывает природу ППГ лишь с химическим составом и керамической структурой феррита, но не с точечными дефектами решетки.  [20]



Страницы:      1    2