Cтраница 1
Заряженные точечные дефекты участвуют в механизме электропроводности полупроводников и каждый ионизированный дефект может быть охарактеризован соответствующим уровнем, расположенным в запрещенной зоне. [1]
Если энергия образования заряженных точечных дефектов на дислокациях зависит от знака дефекта, то дефектов одного знака будет образовываться больше, чем другого. В результате дислокация оказывается заряженной, а ее заряд компенсируется цилиндрическим облаком Дебая - Хюккеля из дефектов другого знака. Если, например, в кристалле AgBr межузловой ион Ago на дислокации образуется легче, чем вакансия Ago, то положительный заряд дислокации компенсируется избыточными вакансиями AgD, иначе, говоря, избытком ионов Вг - вблизи дислокации. [2]
На поверхности твердых тел имеются заряженные точечные дефекты и их скопления, которые индуцируют в граничных слоях различные поляризационные структуры электретного типа. В твердых граничных слоях обнаружено существование спектра таких поляризационных структур, различающихся по своему электрическому строению и симметрии. В жидких граничных слоях установлено существование полиморфных форм, различающихся по своему молекулярному и, следовательно, электрическому строению. [3]
Ионная проводимость в кристаллах определяется движением заряженных точечных дефектов - вакансий, между-узельных собственных или примесных ионов. В отсутствие внешнего электрического поля есть определенная вероятность перемещения иона из узла решетки в соседнюю вакансию, но эти перемещения случайны и не направленны. Если же на кристалл накладывается электрическое поле, то ионы одного знака, например катионы, движутся в одном направлении, а соответствующие им вакансии - в противоположном. [4]
Активность твердых тел, проявляемая в механохимических процессах, определяется элементами их реальной структуры ( Г. И. Дистлер): электрически активными точечными дефектами, поляризационными мостиками между противоположно заряженными точечными дефектами, сопутствующими им электрическими микро-полями. При воздействиях на кристаллы изменяется относительное число точечных дефектов в узлах решетки и междуузлиях, что сопровождается изменением периода решетки, возникновением монокристалъных свойств у различных твердых или жидких граничных слоев, влияющих на протекание механохимических процессов. Такие слои, аморфные или поликристаллические, могут обладать упорядоченной информационной структурой. [5]
Как показано в [13], при воздействии света на кристаллы НЛ: Fe происходит перезарядка ионов Fe. Заряженные точечные дефекты в пьезоэлектрической среде вызывают деформации, убывающие по закону 1 / г2 [57], что в свою очередь вызывает наблюдаемое в экспериментах уширепие дифракционных максимумов. Нейтральные дефекты, согласно [57], не приводят к уширению дифракционных максимумов. [6]
Однако при диффузии заряженных дефектов должна происходить и диффузия электронов и дырок. Причем количество заряженных точечных дефектов, пересекающих единицу поверхности поперечного сечения, перпендикулярного к направлению диффузии, должно быть равно количеству электронных дефектов, пересекающих эту же поверхность. Такая взаимосвязанная диффузия противоположно заряженных частиц называется ам-биполярной. [7]
Образование КМЦ мы связываем не с процессом последовательного присоединения / - центров, а со следующим флуктуа-ционным механизмом. Если рассмотреть флуктуацию концентрации положительно заряженных точечных дефектов, то при автолокализации достаточного числа электронов на уровнях квазимакроскопической флуктуа-ционной потенциальной ямы образуется квазистабильный центр - КМЦ. В определенных условиях образование КМЦ ведет к уменьшению термодинамического потенциала системы. Этот самосогласованный механизм в ЩГК, где положительно заряженными дефектами являются анионные вакансии, приводит к тому, что в ближайшем окружении иона металла значительная часть ионов галоида замещается вакансиями и образуется область, состоящая практически из ионов металла, погруженных в электронную жидкость. [8]
Возникновение особой структуры жидких граничных слоев объясняется инициирующим действием различных функциональных групп ( например, гидроксильных) поверхности твердого тела. Образование индуцированной поляризационной структуры в твердых граничных слоях обусловлено заряженным рельефом поверхности, главным образом заряженными точечными дефектами, свойства которых во многих случаях аналогичны свойствам функциональных групп. [9]
Такого рода группировки наблюдаются и на поверхности необлученных кристаллов NaCl ( и LiF), но в существенно меньшем количестве. Форма и строение группировок из декорирующих частиц золота отражают строение соответствующих сложных центров окраски, состоящих, возможно, из нейтральных и заряженных точечных дефектов. При декорировании окрашенных кристаллов NaCl наблюдается увеличение плотности декорирующих кристаллов золота до 8 5 - Ю11 см - по сравнению с необлученными образцами, у которых эта плотность составляет 2 5 - Ю11 см-2. Наблюдается также существенное улучшение степени ориентации кристаллов золота на поверхности облученных образцов. Эти результаты находятся в соответствии с данными работ [25-27] о влиянии центров окраски на эпитаксию. [10]
Обнаружение электретного механизма воспроизведения электрических свойств поверхности кристаллов-подложек позволяет сделать вывод о томт что активные центры, инициирующие ориентированную кристаллизацию и другие гетерогенные процессы, являются заряженными центрами. Из проведенных экспериментов также следует, что определяющим фактором в гетерогенных процессах является не микрогеометрия поверхности кристаллов, а именно ее электрический микрорельеф, обусловленный главным образом заряженными точечными дефектами и их скоплениями. [11]
Поскольку влияние кадмия на концентрации дефектов заметно только при низких температурах, то при определенной температуре становится возможным изменение заряда на дислокации [32], что и наблюдалось в действительности. Заряженный линейный дефект ( дислокация) с цилиндрическим пространственным зарядом по своей природе аналогичен как поверхностному заряду на границе раздела с примыкающим к ней приповерхностным зарядом, так и заряженному точечному дефекту с его сферической ионной атмосферой Дебая - Хюккеля. [12]
Расчет концентрации электронов, дырок и заряженных точечных дефектов внутри однородного по свойствам кристалла производится без привлечения величины энергии Ферми и даже, наоборот, последняя обычно находится из уравнения ( IV. Однако представление об уровне Ферми весьма полезно для анализа равновесия между различными по свойствам участками системы, в частности между объемом и поверхностью кристалла. [13]
Легко сообразить, что эти вакансии различаются не только своим положением в элементарной ячейке кристаллической решетки, но и электрическими свойствами. Действительно, отсутствие положительного иона в кристаллическом узле ( катионная вакансия) с точки зрения распределения электрического заряда эквивалентно появлению в этом узле отрицательного заряда. Следовательно, катионная вакансия в кристалле выступает как отрицательно заряженный точечный дефект. Аналогично, анионная вакансия несет эффективный положительный заряд. [14]
График температурной зависимости подвижности поляронов, соответствующий формуле (6.88) при рассеянии на оптических фононах, схематически изображен на рис. 6.11 в координатах Аррениуса. Здесь обращает на себя внимание ход кривой, противоположный представленному на рис. 6.8; в отличие от квазисвободных электронов в атомных полупроводниках подвижность поляронов малого радиуса имеет минимум в области промежуточных температур. Пунктирный участок кривой изображает переход к рассеянию туннелирующих поляронов на заряженных точечных дефектах решетки, играющих в ионных кристаллах ту же роль, что и примесные ионы в валентных полупроводниках. [15]