Cтраница 2
В полупроводниках - типа они образуют отрицательный заряд, нейтрализуемый положительным пространственным зарядом в окружающей области, где концентрация электронов проводимости оказывается ниже своего среднего значения. Поэтому заряженные дефекты, приходящие в эту область, должны сильно притягиваться или отталкиваться дислокацией. Это электростатическое взаимодействие накладывается на чисто упругое взаимодействие и способствует образованию примесных атмосфер или стоку заряженных точечных дефектов. [16]
В большинстве окислов ионы кислорода формируют плотно-упакованный каркас. Дислокации, перемещающиеся путем скольжения, диссоциируют на частичные дислокации, движение которых вынуждает катионы, расположенные в слоях между плотноупакованными кислородными плоскостями, смещаться в. Катионы стремятся вернуться в. Этот механизм, известный как-синхросдвиг, был впервые предложен Кронбергом [213] ( рис. 4.17) для объяснения базисного скольжения в АЬОд, а за-тем Хорнстрой [178] для объяснения скольжения в плоскости; 111 в шпинелевой структуре. Структура ядер даже нерасщепленных дислокаций очень сложна. Изломы и ступеньки электрически заряжены ( рис. 4.18), что часто сообщает электрический; заряд всей дислокации. В результате дислокация оказывается; окруженной экранирующей атмосферой противоположно заряженных точечных дефектов. Взаимодействие ( упругое или электрическое) точечных дефектов с ядром дислокации может изменить стехиометрию в окрестности ядра ( или скомпенсировать. [17]