Структурный дефект

Cтраница 2

Перечисленные структурные дефекты могут приводить к локальному нарушению зарядовой электронейтральности в ферритах и, таким образом, являются причиной электронного раз-упорядочения. Например, вакансия отрицательного иона ( аниона) означает недостаток отрицательного заряда и является ловушкой для электронов. Для восстановления электронейтральности такая вакансия будет захватывать электрон, вследствие чего образуется электронный центр, называемый F-центром. [16]

Структурные дефекты поверхности, будучи центрами локализации для свободных валентностей, могут выступать в роли центров адсорбции. В этом случае реальная, но однородная поверхность в отношении адсорбционных свойств может вести себя как неоднородная. Это есть результат учета теплового беспорядка на поверхности кристалла. [17]

Поверхностные и структурные дефекты эпитаксиальных слоев элементарных полупроводников. [18]

Структурные дефекты поверхности стекла выступают в роли абсорбционных центров. Он устанойил, что в отличие от кристаллического состояния у аморфных тел разрешенные зоны несколько расширяются, а края их расплываются. Эти выводы при некоторых допущениях возможно распространить и на стекла с ионной проводимостью. Для щелочных стекол с ионной проводимостью, по-видимому, справедлива модель, которую этот автор использовал для расчета концентрации локальных уровней. [19]

Методы измерения толщины пленок. [20]

Структурными дефектами являются кристаллические дефекты в аморфных пленках - кристаллы самого материала пленки или же инородных включений. Химическими дефектами следует считать инородные включения: загрязнения, попадающие из среды, в которой образуется пленка ( пузырьки газа, анионы электролита, вещество испаряющихся электродов и т.п.), а также локальные нарушения состава пленки, например появление в оксидных пленках низших оксидов основного материала или оксидов примесей. Возможно появление дефектов типа микротрещин, пор и флуктуации толщины. [21]

Поскольку структурные дефекты влияют на механизм и кинетику распада пересыщенных растворов, следует предположить, что они играют большую роль в формировании структуры сплава на низкотемпературной стадии цикла. Чередование процессов растворения и выделе ния избыточных фаз может явиться одной из причин структурной нестабильности сплавов при термоциклировании. [22]

Границы зерен, разориентированных под большими углами. - 1203. [23]

Многие структурные дефекты представляют собой атомные плоскости или чаще поверхности, поскольку дефекты не обязательно должны лежать в плоскости. [24]

Но структурные дефекты в полупроводниковых соединениях могут быть созданы как термическим способом, так и в результате облучения ядерными частицами и электронами. Действие облучения на полупроводники многократно изучается, особенно в Ge ( см. разд. I), но природа дефектов, вызванных облучением, не всегда выяснена. Это указывает на образование групп дефектов. Очевидно, что такие сложные дефекты, как двойные вакансии, могут образовываться под воздействием случайной частицы. Чаще всего их образование требует нескольких этапов: образование простых дефектов, затем их миграция и, наконец, объединение с другими дефектами. Может, однако, случиться, что вакансии не объединяются, например, облучение кристаллов при низких температурах. Из соединений AUBVI в [150] исследованы структурные дефекты в CdTe n - типа, возникающие после облучения его электронами с энергией 1 МэВ и тепловыми нейтронами, а также изучена радиационная устойчивость этого полупроводника. [25]

Все структурные дефекты находятся в термодинамическом равновесии с кристаллом; замороженные дефекты отсутствуют. [26]

Грани ( 111 и ( 100 в кубическом кристалле. [27]

Рассмотрим структурные дефекты по Шоттки, по Френкелю и дислокации. [28]

Наличие структурных дефектов приводит в свою очередь к ухудшению свойств кристалла, например к уменьшению времени жизни и подвижности неосновных носителей заряда. Приборы, изготовленные из такого кристалла, будут иметь значительно меньший коэффициент передачи тока. Поэтому наиболее благоприятной является плоская поверхность раздела ( рис. 2.2 6), исключающая появление внутренних напряжений. Ввиду того что на поверхности раздела концентрация примеси постоянна, сохранение плоского фронта кристаллизации существенно также для равномерного распределения примесей в поперечном сечении кристалла. [29]

Характер структурных дефектов, приводящих к изменению электрофизических свойств полупроводников, подвергнутых радиационным воздействиям, имеет фундаментальное значение в вопросах об устойчивости параметров и обеспечении надежности работы полупроводниковых приборов, широко применяемых в автоматике современных летательных аппаратов, ядерной энергетике и других практически важных областях. В чисто научном плане проблема радиационной стойкости кристаллических тел вообще и полупроводниковых кристаллов в частности сводится к выяснению сложных механизмов взаимодействия первичных радиационных дефектов с атомами легирующих ( или остаточных) примесей, врожденными дефектами структуры кристалла, а также тех последствий ( начиная с изменений в зонной структуре), к которым эти взаимодействия приводят. [30]

Страницы: 1 2 3 4