Структурный дефект

Cтраница 4

Природа включений или структурных дефектов, ответственных за фоточувствительность, точно неизвестна, однако принято считать, что подобные включения представляют собой различного типа карбонильные группы ( кетоны, альдегиды) и перекиси. [46]

Поэтому проводилось исследование структурных дефектов на естественно полированной поверхности кристалла-плоскости ( 0001), которая к тому же дает возможность изучать спиральные образования н фигуры роста, которые в большинстве случаев полностью уничтожаются или сильно искажаются при искусственной шлифовке и полировке. [47]

Поэтому проводилось исследование структурных дефектов на естественно полированной поверхности кристалла-плоскости ( 0001), которая к тому же дает возможность изучать спиральные образования и фигуры роста, которые в большинстве случаев полностью уничтожаются или сильно искажаются при искусственной шлифовке и полировке. [48]

Количественное изучение влияния структурных дефектов на различные процессы, протекающие в кристалле, встречает на своем пути большие затруднения, так как пока практически невозможно получить кристаллы с воспроизводимыми количественно и качественно структурными дефектами. Среди попыток качественного исследования этих дефектов можно отметить работу Худлеса и Томсона [4], которые для изучения структурных дефектов в NaCl использовали радиографию. [49]

Анализ причины возникновения поверхностных и структурных дефектов в эпитаксиальных слоях элементарных полупроводников показывает, что основными направлениями борьбы с ними являются повышение качества обработки и чистоты поверхности подложек, уменьшение осевых и радиальных градиентов температуры в подложке и растущем слое, проведение процесса эпитаксиального роста в стерильных условиях и оптимальном режиме. Последние два направления определяются в основном совершенством используемой в производстве эпитаксиальных структур аппаратуры. [50]

Изменение состава раствора в разных условиях термообработки. [51]

Испарение раствора из структурных дефектов типа открытой поры и с поверхности пленки приводит к аналогичным результатам; в растворе значительно сокращается концентрация наиболее летучего компонента. Наиболее отчетливо это видно при анализе изменения концентрации гексана, нормированной по концентрации декана. При испарении с поверхности пленки количество гексана, приходящееся на 1 мае. Содержание бутанола в обоих случаях увеличивается в 1 5 - 2 5 раза, однако это увеличение не столь велико относительно концентрации декана ( 1 2 раза), так как обусловлено потерей более летучего гексана, температура кипения которого ниже температуры термообработки. [52]

Состояния, обусловленные различными биографическими структурными дефектами, присутствующими на всякой реальной поверхности и играющими роль локальных нарушений в периодической структуре поверхности кристалла. [53]

Рассеяние электронов на структурных дефектах ( в основном на одиночных вакансиях и образованных ими кластерах внутри зерен, а также на границах зерен) оказывает наиболее существенное влияние на удельное сопротивление пленок, если их толщина сравнима или превышает среднюю длину / свободного пробега электронов. [54]

Повысить прочность путем устранения структурных дефектов удается в нитевидных кристаллах, но их практическое использование пока ограничено. Более реальным для практического применения является второй путь. [55]

Имеющиеся зависимости между концентрацией структурных дефектов и условиями роста покрытий показывают, что, кроме дефектов примесного происхождения, возникают чисто ростовые дефекты; при этом их количество определяется не только состоянием среды, но и пространственной ориентировкой кристаллографических элементов решетки растущих кристаллов относительно направления подачи материала к растущим кристаллам. Последняя зависимость, несмотря на многочисленные экспериментальные проверки, не имеет своего физического истолкования. Принципиальным здесь является вопрос, на какой стадии возникает различие в интенсивности дефектообразования: со стадии зарождения или только на стадии роста. На этот вопрос могут дать ответ только специальные исследования. [56]

Страницы: 1 2 3 4