Двумерной дефект

Cтраница 2

К трехмерным дефектам относятся прежде всего области кристалла, ограниченные рассмотренными выше двумерными дефектами, - двойниковые прослойки, включения других политипных или полиморфных модификаций, макроблоки. Важным типом трехмерных дефектов являются включения раствора, рассматриваемые в § 1.6. Сюда же относятся включения посторонних твердых фаз. Твердые включения, подразделяются на протогенетические - захваченные кристаллом при росте, сингенетические - возникшие и разраставшиеся одновременно с кристаллом, и эпигенетические - возникшие при преобразовании готового кристалла. [16]

Самоочищение пирамид роста граней пирамиды 101 кристалла КН2Р04 от линейных нарушений ( по X. И. Гюльцову [ Gulzow H. J., 1966 ]. [17]

Источником слоев роста, помимо отдельных дислокаций и их групп, могут служить и двумерные дефекты - сетки дислокаций вдоль границ макроблоков и залеченных трещин ( рис. 1 - 19), а также двойниковые швы. Последние заслуживают несколько более подробного рассмотрения. Давно известно, что двойники, у которых между индивидами имеется входящий угол, растут значительно быстрее монокристаллов. Объясняют это явление более легким присоединением частиц во входящем углу двойника. В этом случае двойниковый шов должен служить линейным источником слоев роста. Однако при росте двойников винной кислоты из водного раствора мы наблюдали распространение слоев роста из двух-трех точечных источников, расположенных на двойниковом шве. [18]

Поверхности, разделяющие кристаллиты ( зерна) поликристаллических тел, образуют внутренние поверхности и также могут рассматриваться как двумерные дефекты кристаллической структуры. Силы связи между кристаллитами твердого тела имеют также электростатическую природу. Однако для твердых тел, особенно для горных пород [13], характерно весьма значительное ослабление сил связи на границах зерен. Для мономинеральных пород степень ослабления сил связи зависит от характера поверхностей кристаллитов, степени разориентировки их кристаллических решеток и концентрации примесей между кристаллитами. Еще более существенно ослабление связей в полиминеральных породах, обусловленное, кроме перечисленных выше причин, различными параметрами решеток, а в некоторых случаях и различными видами связи в решетках контактирующих кристаллитов. [19]

Поверхности, отделяющие кристалл или его часть от материала, отличающегося в том или ином отношении от вещества кристалла, являются двумерными дефектами. [20]

Физически спадающая к центру частицы осциллирующая поверхностная релаксация связана с фриделевскими осцилля-циями плотности вырожденного электронного газа, которые вызываются любыми дефектами, нарушающими трансляционную симметрию кристалла; в данном случае таким двумерным дефектом является поверхность. Фриделевские осцилляции передаются решетке через электрон-фононное взаимодействие и приводят к изменению межплоскостных расстояний. Согласно [88] в модели свободных электронов амплитуда фриделевских осцилляции убывает по мере удаления от поверности. Необходимо заметить, что в зависимости от параметров решетки и размера кристалла поверхностная релаксация может не только уменьшать, но и увеличивать его объем. [21]

Энергетически возбужденными состояниями равновесной решетки являются только О-мерные дефекты. Дислокации и двумерные дефекты не относятся к равновесным структурам. Они определяются условиями синтеза и пластическими деформациями кристаллов. [22]

Современная наука о материалах во многом базируется на изучении монокристаллов и монокристаллических пленок ( включая наноструктуры), то есть монокристаллического состояния вещества. На сегодняшний день на уровне трехмерных и двумерных дефектов ( механические включения и дислокации) фундаментальные задачи синтеза монокристаллов и пленок практически решены. Остаются пока нерешенными некоторые задачи технологического характера, связанные с синтезом технически ценных монокристаллов. [23]

О-мерные дефекты в кристаллах простых веществ. [24]

Энергетически возбужденными состояниями равновесной решетки являются только 0-мерные дефекты. Ни при каких температурах дислокации и двумерные дефекты не относятся к равновесным структурам. Они определяются случайными условиями синтеза кристаллов и возникают по кинетическим причинам. Поэтому в статистической термодинамике равновесных кристаллов изучают только 0-мерные дефекты. [25]

О-мерные дефекты в кристаллах простых веществ. [26]

Энергетически возбужденными состояниями равновесной решетки являются тйлько 0-мерные дефекты. Ни при каких температурах одно - и двумерные дефекты не относятся к равновесным структурам. Они определяются случайными условиями синтеза кристаллов и возникают по кинетическим причинам. [28]

Самопроизвольное обогащение границ зерен растворенными элементами определяют как равновесную сегрегацию. Одной из причин ее является упругое взаимодействие атомов с межзерновой границей, являющейся двумерным дефектом в макрокристалле. Эта граница, как известно, характеризуется повышенным значением AG. Ширина ее составляет около 1 - 3 атомных расстояний, однако переходные межкристаллитные зоны с искаженной кристаллической решеткой имеют толщины, достигающие десятков и сотен нанометров. [29]

Затем мотивы теряют регулярное расположение в прост - эанетве, характерное для кристаллической решетки. И наконец, возни-ают новые дефекты в квазикристаллическом расплаве в виде то - [ ечных дефектов, дислокаций и двумерных дефектов ( относительно дефектов см. разд. С точки зрения изменения порядка такая юдель описывает плавление как позиционное разупорядочение и поэто - iy справедлива только для сферических мотивов. Данные табл. 8.1, которой приведены температура плавления и энтропия плавления ряда ристаллов, образованных сферическими или близкими по форме к сфе-ическим мотивами, дают представление о величине энтропии плавле-йя, наблюдаемой в этом случае. [30]

Страницы: 1 2 3