Двумерной дефект

Cтраница 3

Дефекты влияют на многие физические свойства кристаллов. Различают точечные дефекты, роль которых играют примесные атомы, и собственные точечные дефекты, например вакантные узлы решетки или атомы в междоузлиях, и линейные дефекты - дислокации, а также двумерные дефекты - границы зерен. Для исследования влияния дефектной структуры кристаллов на их свойства необходимо приготовить материал, предельно свободный от различных несовершенств. Из него затем можно получить кристаллы с известным и достаточно точно дозированным количеством дефектов. Таким образом, первыми возникают проблемы очистки кристалла от примесных атомов и устранения в нем собственных дефектов, концентрация которых превышает термодинамически равновесную. [31]

Проекция структуры палыгорскита. [32]

К нулевым, или точечным, дефектам относятся замещение одного из атомов решетки инородным атомом, вакансии и смещения атомов в междоузлия. Одномерные, или линейные, дефекты обусловлены дислокациями в кристаллах. Двумерные дефекты имеют место при нарушении порядка упаковки слоев. [33]

Практика показывает, что количество водорода в стали может значительно превышать равновесное содержание. Взаимодействие дефектов структуры с атомами внедрения приводит к отклонению содержания водорода от средней концентрации в микрообъемах и влияет на стабильность структурной неоднородности. В сталях сложного состава водород локализуется на дислокациях и двумерных дефектах, малоугловых и межфазных границах. [34]

В виду того что в настоящее время имеется большое количество учебников по физике твердого тела, а также специальных книг, целиком посвященных дефектам кристаллической структуры, здесь будет дано только краткое обуждение этого вопроса. С точки зрения роста кристаллов полезной является книга Варма [ Verma, 1958 ], в которой рассматривается дислокационно-спиральный рост кристаллов. Некоторые важные типы дефектов, включая точечные, линейные и двумерные дефекты, будут рассмотрены ниже. [35]

Изучение вклада в реальную структуру всевозможных дефектов сталкивается с трудностями, которые обусловлены многообразием источников дефектообразования. В связи с этим необходима их систематизация, в основу которой можно положить принцип, учитывающий степень воздействия этих дефектов на диссипацию энергии в монокристаллах. На основе этого принципа всю совокупность дефектов условно можно разделить на три группы. К первой группе относятся так называемые трехмерные дефекты - всевозможные включения макроскопических размеров. Ко второй группе относятся двумерные дефекты - блочные и малоугловые границы, линии скольжения и дислокации. [36]

Структура металлфталоцианинов оказывает значительное влияние на их транспортные свойства. Разупорядоченность структуры приводит к появлению ловушек, которые образуют только мелкие уровни в запрещенной зоне. Однако в поликристаллических материалах велико число молекул, смещенных из равновесных положений, поэтому появляются и глубокие уровни, связанные с ловушками. В пленках были обнаружены дислокации и двумерные дефекты. Дислокации могут приводить к появлению глубоких уровней в запрещенной зоне. С другой стороны, тонкие пленки металлфталоцианинов в большей степени подвержены влиянию газов, чем монокристаллы этих веществ. Поэтому тонкие пленки соответственно не столь химически чистые. В работе [371] была предложена модель для описания электрических явлений переноса в несовершенных кристаллах РсСи. В модели предполагается, что реальный кристалл образован из набора совершенных проводящих дисков, а влияние возмущений, вносимых структурными дефектами в кристалл, рассчитывается на основе информации о нарушении упаковки молекул в кристалле. [37]

Страницы: 1 2 3