Тепловой дефект

Cтраница 1

Тепловые дефекты возникают как следствие тепловых колебаний частиц в узлах пространственной решетки кристалла. Обычно тепловые колебания частиц не приводят к нарушениям идеальной структуры кристалла. Исключения возникают, если та или иная частица или группа частиц приобретают повышенный запас кинетической энергии и покидают узлы кристаллической решетки. В зависимости от геометрии возникающих при этом дефектов их можно разделить на три группы: точечные, линейные и поверхностные. [1]

Концентрация дефектов пары вакансия - межузельный ион. [2]

При обычных температурах концентрация точечных тепловых дефектов сравнительно невелика, но при высоких температурах достигает существенных значений. [3]

Для удобства изложения здесь пренебрегается наличием тепловых дефектов Шоттки и Френкеля, так как, кроме случая очень высоких температур, их число сравнительно мало. [4]

К объяснению различия в положении уровней V zn и V zn по отношению к валентной зоне.| Зависимость темнового сопротивления ( RT и сопротивления при облучении рентгеновыми лучами ( Rx от отношения концентраций соактиватора ( Ga и активатора ( Си в CdS-Cu, Ga-фосфоре. [5]

Это обстоятельство играет весьма важную роль, ибо концентрацию тепловых дефектов, как и дефектов, созданных прогревом кристалла в парах одного из образующих его элементов, гораздо труднее стабилизовать в процессе охлаждения, нежели концентрацию примесных, а следовательно, и компенсирующих собственных дефектов ( см. гл. [6]

Дефект по лы решетки заняты, то он может разместить - Френкелю Ся только в междоузлии. Оставшийся пус. [7]

Точечные дефекты могут появиться в твердых телах вследствие нагревания ( тепловые дефекты), облучения быстрыми частицами ( радиационные дефекты), отклонения состава химических соединений от стехиометрии ( стехиометрические дефекты), пластической деформации. [8]

С N0e kr, где и - наименьшая из энергий активации образования тепловых дефектов; N0 - число молекул в единице объема. [9]

Они могут С) - QJ - н сг быть образованы и тепловыми дефектами при захвате ими электрона. [10]

Кристалл, находящийся при данной температуре в термодинамическом равновесии, имеет равновесную концентрацию тепловых дефектов и определенное распределение их по величине. [11]

Ионное легирование полупроводниковых соединений интересно прежде всего с точки зрения введения примесей при пониженных температурах, когда значительно уменьшена или практически исключена вероятность образования тепловых дефектов. Появляется также возможность сохранить стехиометрию соединения в отличие, например, от легирования диффузией примесей, когда изменение состава в той или иной мере неизбежно. [12]

Рассмотрим, какие искажения вносят тепловые и примесные дефекты в структуру кристаллов, а также влияние подобных искажений на свойства твердых тел. Тепловые дефекты возникают как следствие тепловых колебаний частиц в узлах пространственной решетки кристалла. Обычно тепловые колебания частиц не приводят к нарушениям идеальной структуры кристалла. Исключения возникают, если та или иная частица или группа частиц приобретают повышенный запас кинетической энергии и покидают узлы кристаллической решетки. В зависимости от геометрии возникающих при этом дефектов их можно разделить на три группы: точечные, линейные и поверхностные. [13]

Такой механизм образования вакансии наблюдается в кристаллических решетках металлов с плотной упаковкой атомов, где образование дислоцированных атомов практически исключено вследствие резкого искажения решетки. Находящийся в термодинамическом равновесии кристалл имеет не только равновесную концентрацию тепловых дефектов, но и определенное распределение их по величине. Точечные несовершенства кристаллической решетки появляются и в результате внедрения инородных атомов примесей, которые, как правило, присутствуют даже в самом чистом металле. [14]

Схематическое изображение дефектов по Френкелю ( а и по Шоттки ( б ( в - идеальная решетка. [15]

Страницы: 1 2