Cтраница 1
Ростовые дефекты ( табл. 3 - 2) классифицируются нами по их происхождению: диффузионные дефекты связаны с особенностями диффузии вещества к кристаллу, адсорбционные - с адсорбцией примеси на поверхности кристалла, абсорбционные - с вхождением примеси в кристалл. [1]
Локальные ростовые дефекты - нарушения симметрии кристаллической решетки - могут возникать уже на стадиях ее зарождения и роста при кристаллизации, вакуумной конденсации или фазовых превращениях в твердом состоянии. [2]
Исследование ростовых дефектов, возникающих при получении покрытий и диффузионных слоев, необходимо по крайней мере по двум причинам. [3]
Проведенные в дальнейшем рентгенотопографические исследования синтетического кварца подтвердили дислокационную природу линейных ростовых дефектов и позволили определить характер векторов Бюргерса. [4]
Для исследования причин нестабильности физических свойств синтетического кварца и факторов, влияющих на образование ростовых дефектов кристаллов, во ВНИИСИМС в 1957 г. на базе систематического анализа результатов лабораторных и опытно-промышленных циклов кристаллизации был оптимизирован процесс синтеза и совместно с технологами опытного производства разработаны вначале технологический регламент синтеза пьезокварца для серийного завода, а в дальнейшем - промышленные процессы получения всех разновидностей технического кристалло-сырья кварцевой группы. [5]
Имеющиеся зависимости между концентрацией структурных дефектов и условиями роста покрытий показывают, что, кроме дефектов примесного происхождения, возникают чисто ростовые дефекты; при этом их количество определяется не только состоянием среды, но и пространственной ориентировкой кристаллографических элементов решетки растущих кристаллов относительно направления подачи материала к растущим кристаллам. Последняя зависимость, несмотря на многочисленные экспериментальные проверки, не имеет своего физического истолкования. Принципиальным здесь является вопрос, на какой стадии возникает различие в интенсивности дефектообразования: со стадии зарождения или только на стадии роста. На этот вопрос могут дать ответ только специальные исследования. [6]
Пленки содержат большое число дислокаций, плотность которых дажедлп монокристаллических объектов достигает 101 - 10 см 2, а также деформационные и ростовые дефекты упаковки, при этом последние отличаются термической устойчивостью. Им присуща значительная микропористость, которую связывают обычно с коалесценцией вакансий. Повышение температуры конденсации, равно как и отжиг, приводит к уменьшению содержания указанных дефектов до уровня, типичного для массивных металлургических металлов и сплавов в равновесном состоянии. [7]
Такой механизм процесса, промежуточных ( существующих только на начальных стадиях) двух - и трехатомных центров свидетельствуют о том, что Л - центры не являются парой азотных атомов и тем более ростовыми дефектами, как это предполагается в ряде работ. Низкие скорости реакции перехода С-центров в Л - центры связаны скорее всего с тем, что процесс лимитируется диффузией и, следовательно, является весьма чyвcfвитeльным к реальной структуре кристаллов, в частности, к насыщению вакансиями. Не исключено также, что они наряду с азотом принимают участие в образовании Л - центров. [8]
Изложены основные представления о закономерностях диффузионного взаимодействия материала покрытия с матрицей и матрицы, с осаждаемым материалом. Рассмотрены ростовые дефекты в покрытиях, получаемых методами испарения - конденсации материала покрытия в вакууме, разложением и восстановлением летучих металлсодержащих соединений. Оценено влияние второго компонента при осаждении двух компонентов, описаны наиболее часто встречающиеся типы дефектов и возможные механизмы их возникновения. [9]
Отходы после щипки и калибрования слюдяных подборов используются для изготовления скрапа. Этот вид слюдяной продукции представлен достаточно чистыми пластинами, имеющими ростовые дефекты или механические повреждения. [10]
Под дефектом покрытия в дальнейшем будем понимать любое несовершенство сплошности и однородности материала в системе покрытие - подложка, возникшее в процессе роста покрытия. Из такого определения следует, что в дальнейшем будут рассматриваться только ростовые дефекты. Эксплуатационные дефекты являются самостоятельной проблемой, значительно более обширной, чем рассматриваемая. [11]
Данные табл. 6 - 9 позволяют установить связь между физико-технологическими условиями препарирования и концентрацией ростовых ДУ. Повышение температуры подложки снижает, а повышение скорости осаждения увеличивает концентрацию ростовых дефектов упаковки. Толщина пленок в диапазоне значений 0 5 - 2 мкм не оказывает заметного влияния на концентрацию ДУ. Из табл. 6 - 9 видно, что при прочих равных условиях концентрация ДУ в пленках чистого никеля ниже, чем в его сплавах с железом. Отжиг значительно снижает концентрацию дефектов упаковки, однако не столь эффективно, как в опилках. [12]
Типичные значения этих деформаций приведены в табл. 1, составленной на основе данных, собранных Самсоновым [ 301 для веществ в массивной форме. Еще одно предположение данной модели состоит в том, что из-за наличия ростовых дефектов в зоне взаимодействия ее прочность равна прочности вещества в массивной форме. Трещины являются новой группой дефектов. [13]
Обычно они сопровождаются дислокационными петлями, расположенными в плоскостях ( 111) и образующихся в результате захлопывания скопления вакансий. То обстоятельство, что 52-дефекты присутствуют не во всех разновидностях природных алмазов, а в синтетических кристаллах вообще отсутствуют, привело некоторых авторов к выводу о том, что они являются ростовыми дефектами. Несмотря на то, что В2 - центры характерны только для азотсодержащих алмазов, их образование связывают также с внедренными атомами углерода и вакансиями. [14]
Обычно они сопровождаются дислокационными петлями, расположенными в плоскостях ( 111) и образующихся в результате захлопывания скопления вакансий. То обстоятельство, что В2 - дефекты присутствуют не во всех разновидностях природных алмазов, а в синтетических кристаллах вообще отсутствуют, привело некоторых авторов к выводу о том, что они являются ростовыми дефектами. Несмотря на то, что В2 - центры характерны только для азотсодержащих алмазов, их образование связывают также с внедренными атомами углерода и вакансиями. [15]