Cтраница 2
На основе синтетических полупроводниковых монокристаллов алмаза уже в настоящее время возможно изготовление макетных образцов некоторых перспективных для электронной техники приборов и устройств. К ним относятся: малогабаритный резистор объемно-поверхностного действия в широком диапазоне сопротивлений с температурным его уходом не более 2 %, в интервале 210 - 670 К и рассеиваемой мощностью не менее 0 5 Вт; малоинерционный термодатчик с температурным коэффициентом сопротивления до 200 Ом / градус в интервале от 210 до 670 К, устойчивый к агрессивным средам; люминесцентный источник света с выходом, например, голубого свечения до 20 %; теплоотводящее устройство на основе монокристалла алмаза с пониженным содержанием азота и других ростовых дефектов для малогабаритных полупроводниковых приборов с эффективностью большей по сравнению с медными теплоотводами. [16]
Монокристаллы ферритов лишь приближенно можно рассматривать как однородные. Они в той или иной степени содержат дефекты, которые сопутствуют неравновесному росту и которые называются ростовыми в отличие от дефектов обработки. Ростовые дефекты обусловливают секториальное и зонарное строение монокристаллов, видимая симметрия их при этом снижается. Примеси и отклонения от нестехиометрии составляют точечные дефекты, дислокации - линейные, напряжения, сегрегация, включения - объемные. [17]
Для металлических покрытии выявлена и изучается широкая гамма дефектов. Однако напряженное со & тояние этих покрытий фактически только начинает исследоваться. Напротив, напряженное состояние диффузионных слоев в расчетном и. В полной мере это относится к чисто ростовым дефектам в них. Еще меньше изучены дефекты диффузионных покрытий. [18]
Монокристаллы халькогенидов Zn и Cd выращивались нами из расплава под давлением инертного газа ( аргон) 100 - 200 атм. Проведенные рентгеноструктурные исследования показали, что CdS и CdSe при комнатной температуре имеют решетку W, a ZnSe, ZnTe и CdTe-решетку S. Особо следует остановиться на структуре монокристаллов сульфида цинка. Анализ рентгенограмм качания, а также данные прецизионного измерения параметров решетки ( на установке УРС-50ИМ) свидетельствуют о том, что монокристаллы ZnS имеют структуру S, но содержат - 10 % дефектов упаковки в виде прослоек с гексагональной укладкой атомов. Слои, содержащие дефекты упаковки, перпендикулярны только одному из четырех направлений [111] кубического кристалла. Так как W является высокотемпературной, a S - низкотемпературной модификацией ZnS, ростовые дефекты в W являются зародышами превращения W - S. При такой перестройке из двух соседних дефектов в W образуется двойниковый дефект только в тех плоскостях 111 сфалерита, которые параллельны плоскости ( 0001) вюрцита. [19]
В связи с большим числом германиевых центров целесообразно дать краткое описание условий их образования. Центры Ge ( I) ( здесь и далее используется общепринятая классификация германиевых центров), получившие также название короткоживущих, возникают непосредственно в процессе облучения или наблюдаются в течение 20 - 30 ч после облучения. Такие центры по истечении указанного времени практически целиком переходят в германиево-щелочные ( частично они распадаются из-за малой термической устойчивости) и могут быть стабилизированы охлаждением образцов до температур ниже 100 К, когда процесс диффузии существенно замедляется. Указанные центры не наблюдаются в образцах, в которых имеются преимущественно германиево-водородные или германиево-литиево-водородные центры, поскольку последние образуются непосредственно в процессе роста, а не в результате диффузии указанных ионов. Следует отметить, что если короткоживущие германиевые центры относятся к триклинным & 6, то все германиево-щелочные - к моноклинным ( & а 3), и этот переход можно наблюдать на экране осциллографа ЭПР-спектрометра. Поскольку все компенсаторы, входящие в состав германиевых центров, располагаются по оси второго порядка, такие центры, естественно, относятся к моноклинным. Примечательным является тот факт, что изменение локальной симметрии чувствуется активным центром задолго до подхода иона-компенсатора. В зависимости от иона-компенсатора ( Na, Li) и его положения в структурном канале различают Ge ( Л) - и Ge ( С) - литиевые и натриевые центры, причем если первые получены путем электролиза, то вторые - непосредственно в кристаллах, выращенных в натриевых системах. Кроме того, в табл. 8 приведены спектроскопические данные Ge-центров вблизи вакансий и дивакан-сий кислорода и кремния: эти центры наблюдались в германий-содержащих кварцах, подвергавшихся реакторному облучению. О природе центра, обозначенного в табл. 8 как Ge ( II), практически ничего не известно, а центры Ge ( H) и Ge ( Li2H) образуются, как уже говорилось, без процесса диффузии ионов-компенсаторов и являются своеобразными ростовыми дефектами. [20]
В связи с большим числом германиевых центров целесообразно дать краткое описание условий их образования. Центры Ge ( I) ( здесь и далее используется общепринятая классификация германиевых центров), получившие также название короткоживущих, возникают непосредственно в процессе облучения или наблюдаются в течение 20 - 30 ч после облучения. Такие центры по истечении указанного времени практически целиком переходят в германиево-щелочные ( частично они распадаются из-за малой термической устойчивости) и могут быть стабилизированы охлаждением образцов до температур ниже 100 К, когда процесс диффузии существенно замедляется. Указанные центры не наблюдаются в образцах, в которых имеются преимущественно германиево-водородные или германиево-литиево-водородные центры, поскольку последние образуются непосредственно в процессе роста, а не в результате диффузии указанных ионов. Следует отметить, что если короткоживущие германиевые центры относятся к триклинным & а 6, то все германиево-щелочные - к моноклинным ( & а 3), и этот переход можно наблюдать на экране осциллографа ЭПР-спектрометра. Поскольку все компенсаторы, входящие в состав германиевых центров, располагаются по оси второго порядка, такие центры, естественно, относятся к моноклинным. Примечательным является тот факт, что изменение локальной симметрии чувствуется активным центром задолго до подхода иона-компенсатора. В зависимости от иона-компенсатора ( Na, Li) и его положения в структурном канале различают Ge ( А - и Ge ( С) - литиевые и натриевые центры, причем если первые получены путем электролиза, то вторые - непосредственно в кристаллах, выращенных в натриевых системах. Кроме того, в табл. 8 приведены спектроскопические данные Ge-центров вблизи вакансий и дивакан-сий кислорода и кремния: эти центры наблюдались в германий-содержащих кварцах, подвергавшихся реакторному облучению. О природе центра, обозначенного в табл. 8 как Ge ( II), практически ничего не известно, а центры Ge ( H) и Ge ( Li2H) образуются, как уже говорилось, без процесса диффузии ионов-компенсаторов и являются своеобразными ростовыми дефектами. [21]