Cтраница 1
Сложные дефекты наименее изучены. Они могут возникать за счет взаимодействия атомов или ионов примесей с вакансиями. [1]
Подобные сложные дефекты можно рассматривать - как результат взаимодействия дефектов простых типов. О взаимодействии дефектов можно говорить в связи с тем, что многие физические свойства двух расположенных рядом дефектов отличаются от суммы свойств двух изолированных дефектов в решетке. В кристаллах сложных соединений число типов дефектов увеличивается за счет возможного попадания частиц в чужую подрешетку или в связи с изменением расположения сложных частиц в узлах решетки. [2]
Плоские и сложные дефекты являются наименее изученными в полупроводниках. При разработке технологии получения полупроводника стараются избегать подобных дефектов, считая скорее из общих соображений, нежели на основании экспериментальных фактов, что эти дефекты ухудшают качество полупроводников. Ответить на вопрос - так ли это - еще предстоит в будущем. [3]
Это сложный дефект, представляющий собой утонение волокна; посредине утонения имеется пятно иного цвета, чем неповржденная его часть. Пятно сильно растянуто вдоль оси волокна и часто само состоит из концентрических полос разных цветов. [4]
К сложным дефектам следует отнести и комплексы, состоящие из примесных атомов и атомов матрицы. [5]
Обычно такие сложные дефекты как трещины, поры и раковины вообще не рассматриваются, так как все практические применения полупроводников исключают использование кристаллов с такими дефектами. Из разнообразных сложных дефектов изучаются пока лишь ассоциации точечных дефектов: примесь - примесь и примесь - вакансия. К сожалению, термодинамике таких взаимодействий посвящено не очень большое число работ и ее нельзя считать выясненной до конца. [6]
![]() |
Расположение атомов в атомной плоскости, перпендикулярной к краевой дислокации в простой. [7] |
Встречаются и более сложные дефекты. Образцы металлов обычно являются поликристаллами. Они образованы из большого количества имеющих различную ориентацию кристалликов, которые называются зернами или кристаллитами. Зерна IB одою очередь тоже образованы из более мелких кристаллических блоков с размерами 10 - 5 - 10 - 3 см. Эта блоки образуют мозаичную структуру зерна и имеют небольшую относительную угловую разориентацию порядка нескольких минут. Блочную структуру имеют также и монокристаллы металлов. В чистых металлах кроме вакансий на узлах и атомов того же металла, смещенных из узлов решетки, присутствуют также различного вида дислокации. [8]
![]() |
Деформация у вмятины на наружной поверхности. [9] |
Последовательность формирования сложного дефекта следующая: вмятина задир, вмятина забоина, задир вмятина, забоина вмятина. [10]
При обнаружении более сложных дефектов в поднятом насосе его бракуют и в скважину спускают новый. [11]
Большое число простых и сложных дефектов, которые могут образовываться в соединениях, и изменения природы и концентрации этих дефектов при термообработках кристаллов значительно осложняют установление однозначной зависимости между свойствами, чистотой и условиями изготовления материалов. Наиболее воспроизводимыми свойствами обладает только одно соединение - антимонид индия. Для всех других соединений трудно указать условия, соблюдение которых позволило бы получать материалы с оптимальными и контролируемыми свойствами. Практически невозможно даже указать, какими свойствами должны были бы обладать чистые и почти совершенные кристаллы большинства полупроводниковых соединений. В этой главе дается описание методов получения только нескольких наиболее изученных соединений. Получение соединений с оптимальными свойствами может быть осуществлено путем кристаллизации из паровой фазы и из растворов в расплаве компонентов. Однако по этому вопросу имеется еще слишком мало данных, чтобы дать убедительные доказательства этой точки зрения. [12]
При подозрении на сложный дефект необходимо проводить контроль обеих сторон сварного шва. [13]
В случае обнаружения более сложных дефектов в поднятом насосе его бракуют и в скважину спускают новый насос. [14]
Опыт показывает, что сложные дефекты в элементах магистральных газопроводах, зарождение неисправностей разного рода, такие как стресс-коррозия, сопровождаемая в ряде случаев, как коррозионное растрескивание металлов под напряжением ( КРН), трудно выявить. Природа таких неисправностей однозначно не определена. [15]