Сложный дефект

Cтраница 2

Очевидно, что такие сложные дефекты, как двойные вакансии могут образовываться непосредственно под воздействием случайной частицы. Но чаще всего их образование требует нескольких этапов: образование простых дефектов, затем их миграция и, наконец, объединение с другими дефектами. [16]

Не исключено, что и образование плоских и сложных дефектов будет использовано для придания полупроводниковым материалам нужных свойств. [17]

Междоузельные атомы алюминия могут быть захвачены другим сложным дефектом, так же как и междоузельные атомы кремния. [18]

Мы рассмотрим только простые типы дефектов, так как более сложные дефекты можно представить как комбинации простых. [19]

Их можно рассматривать как одиночные точечные дефекты в отличие от сложных дефектов или комплексов дефектов, которые могут образоваться при объединении двух или более элементарных дефектов. Некоторые из возможных дефектов схематически представлены на рис. В. [20]

Сетка дислокаций в чешуйчатом графите Тайгинского месторождения, Х25000. [21]

Перечисленные так называемые простые дефекты также являются идеальными и в различных сочетаниях дают сложные дефекты, действительно существующие в графите. [22]

Наряду с образованием простых пар ( вакансия - внедренный атом) в процессе облучения могут образовываться более сложные дефекты. Например, если в первичном акте столкновения атому, смещаемому с узла решетки, передается значительная энергия, то он, в свою очередь, может сместить с узлов в междоузлия другие атомы. При определенных условиях вакансия и внедренный атом могут располагаться друг от друга на весьма незначительных расстояниях ( iz 2 5 А [380]), когда их электрический заряд будет существенно отличаться от того, который является характерным для пространственно разделенных дефектов. [23]

Для FeO величина ЛЯ отрицательна в большой концентрационной области и это дает возможность определить [74-76], что преимущественно сложные дефекты состоят из атомов Fe и двух вакансий железа. В МпО природа сложных дефектов не выяснена. Затруднения связаны с тем, что сложные дефекты возникают преимущественно вблизи границы МпО - Мп3О4, где эксперимент затруднен. [24]

Они делятся л а точечные дефекты ( вакансии и включения) и на дислокации, представляющие собой более сложные дефекты структуры. Кроме дефектов кристаллической структуры на физико-химические свойства твердых тел влияют размеры кристаллов, ассоцпатов, неоднородностей ( размеры пор) и их соотношение. [25]

Плотность центров конденсации в этом случае больше, но в результате большей концентрации закаленных дефектов вероятность образования более сложных дефектов во время старения значительно увеличивается, так что концентрацию дивакансий ( или тривакансий) уже нельзя считать незначительной. Мгновенная равновесная концентрация дивакансий зависит, конечно, от их энергии связи, первоначальной концентрации дефектов и времени их жизни. [26]

Должен знать: правила испытания и технические условия на испытание конструкций судна и арматуры при высоких давлениях; устройство и конструктивные особенности контрольно-измерительных приборов, применяемых при испытаниях; методы устранения сложных дефектов, обнаруженных в процессе испытания. [27]

Должен знать: правила испытания и технические условия на испытание конструк ций судна и арматуры при высоких давлениях, устройство и конструктивные ОСО бенности контрольно-измерительных приборов, применяемых при испытаниях; методы устранения сложных дефектов, обнаруженных в процессе испытания. [28]

Если за время своего существования вакансия совершает большое число перескоков, она может встретиться с другими дефектами - вакансией, межузельным атомом, дислокацией, и это ( в случае взаимодействия) может привести к образованию более сложного дефекта. [29]

Следует подчеркнуть, что преимущественное использование этих пяти механизмов объясняется тем, что наиболее тщательные работы проводились с твердыми материалами, обладающими сравнительно простой структурой и содержащими только один или два атомных компонента; поэтому не было особой необходимости рассматривать более сложные дефекты и механизмы диффузии. Обычно также предполагалось, что диффузия происходит по простейшему механизму; например, в случае диффузии вакансий перескок атомов происходит только из ближайшего соседнего положения. При рассмотрении процессов диффузии в более сложных структурах, безусловно, может оказаться необходимым учет других типов дефектов и механизмов диффузии; такие случаи уже приводились в соответствующей литературе. [30]

Страницы: 1 2 3 4