Подобный дефект

Cтраница 1

Зависимость от энергии фотона мнимой части показателя преломления f ( V и вероятности излучения Rvc ( для Ge при Т 300 К, умноженной на Ai / k & T / h ( по историческим причинам. [1]

Подобные дефекты называются центрами излунательной рекомбинации, а в обратном случае они называются нерадиационными ловушками. Хотя выражения (7.5) и (7.7) были получены для переходов между зоной проводимости и валентной зоной, их можно, в принципе, применять для переходов между любыми двумя состояниями в системе, находящейся в условиях теплового равновесия. Излучение тела, находящегося при тепловом равновесии при комнатной температуре, очень мало, поэтому большинство экспериментов проводится при неравновесных условиях. Создание таких условий и измерение результирующего спонтанного излучения составляют сущность экспериментов при изучении люминесценции. [2]

Измерение габаритов покрышки после шероховки. [3]

Подобные дефекты значительно ухудшают эксплуатационное качество восстановленных покрышек. [4]

Стандартный образец для испытания на раздир. [5]

Подобные дефекты вызывают локальное перенапряжение в деформируемом материале и, следовательно, потерю прочности. Однако изменение прочности при механическом повреждении поверхности, например надрезе, не однозначно для всех резин. Так, у одних резин прочность снижается незначительно, у других при тех же условиях - катастро-фич ески падает. [6]

Зависимость удельного усилия резки в изотермических условиях от скорости при температуре в С. [7]

Подобные дефекты особенно часто наблюдаются при холодной или теплой резке высоколегированных сталей и сплавов на никелевой и титановой основах. [8]

Структурная схема поиска дефекта методом анализа монтажа. [9]

Подобный дефект связан, как правило, с тем, что электронный луч кинескопа дополнительно модулируется импульсами строчной частоты. [10]

Дефекты упаковки в эпитаксиальной пленке. [11]

Подобные дефекты могут вредно сказываться на работе приборов, так как вблизи от них, очевидно, уменьшается время жизни неосновных носителей заряда. У границы таких дефектов могут концентрироваться быстродиффундирующие примеси. Вблизи подобного дефекта может начаться спонтанная концентрация тока в узкий шнур, что вызовет переход транзистора во вторичный пробой. Возникновение дефектов упаковки может явиться следствием целого ряда обстоятельств: они возникают в тех местах, где поцарапана подложка, где ее могли чем-то коснуться и создать в этом месте механические напряжения. [12]

Подобные дефекты стремятся мигрировать друг к другу до тех пор, пока не уравновесятся упругие напряжения и электростатические взаимодействия. Сказанное распространяется не только на чисто ионные дефекты, но и на случай взаимодействия электронных и ионных дефектов. Классическим примером являются F-центры, в которых электроны ассоциируют с анионными вакансиями в ионном кристалле. Эффективное положительное поле вакансий связывает при этом электроны в водородоподоб-ные комплексы. [13]

Подобные дефекты не обязательно являются следствием выпуска брака заводом - поставщиком данных элементов. Нарушение технологии пайки полупроводниковых приборов может вызвать их перегрев и выход из строя. [14]

Структурная схема поиска дефекта методом анализа монтажа. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5