Подобный дефект

Cтраница 2

Подобный дефект связан, как правило, с тем, что электронный луч кинескопа дополнительно модулируется импульсами строчной частоты. [16]

Подобные дефекты снижают, в частности, статическую прочность в сравнении с соединениями, полученными по второму технологическому варианту, и, очевидно, будут повышать сопротивление в зоне перехода. [17]

Подобные дефекты возникают в основном вследствие неправильных параметров нанесения покрытия, в особенности из-за неподходящих реологических свойств шликера. Натеки образуются преимущественно около отверстий и гофров ( зигов), если шликер слишком долго тек в определенном направлении. [18]

Любой подобный дефект дает сигнал, который позволяет вручную отключить аварийный преобразовательный мост. [19]

Подобными дефектами являются тонкая двойниковая прослойка в кристалле [16], включение в композиционном материале, границы зерен. Макроскопически такой дефект представляет поверхность или линию разрыва со скачком Aw. Области подобных разрывов всегда имеют место в контактных областях материалов и поэтому контактные области являются обобщенным линейным дефектом. [20]

Устранять подобные дефекты в неответственных местах допускается тщательной заваркой с последующей зачисткой и испытанием при необходимости. [21]

Причинами подобных дефектов могут быть неисправности оборудования, применяемого для изготовления заготовок и приспособлений для сборки, недоброкачественность исходных материалов, низкая квалификация обслуживающего персонала. [22]

Рост подобных дефектов происходит преимущественно в глубину стенки трубы и может вызвать образование сквозного свища с последующей утечкой газа, но не разрыв тела трубы. Этой проблеме в последние годы уделялось исключительно много внимания во всем мире и это позволило выделить основные факторы проявления КРН, среди которых исключительно большое значение имеет температурный режим эксплуатации трубопровода. [23]

Присутствия подобных дефектов в образцах иногда невозможно избежать. Так, при силицировании цилиндрических деталей с малым радиусом кривизны в слое WSi2 неизбежно появляются трещины. Иногда трещины в защитных слоях дисилицида вольфрама возникают во время испытания деталей вследствие напряжений. [24]

Отыскание подобных дефектов без разрушения образцов производится методами дефектоскопии. В данной главе рассматриваются методы, использующие для этой цели проникающие излучения - гамма-излучения, рентгеновые и ультразвуковые. Эти же методы положены в основу ряда приборов для измерения толщины материалов. Возможность непрерывного контроля толщины материала в ходе его изготовления или переработки является ценной особенностью бесконтактных методов, использующих проникающие излучения. [26]

Зависимость между перемещением и деформациями трубопроводов. [27]

Возникновение подобных дефектов может быть вызвано некачественным выполнением развальцовки в результате, например, разной толщины стенок труб. [28]

Плотнейшая упаковка шаров одинакового радиуса на плоскости. [29]

К подобным дефектам относят такие искажения в кристаллической решетке, которые имеют большую протяженность в двух измерениях и незначительную протяженность ( несколько межатомных расстояний) в третьем измерении. Характерным примером таких дефектов являются дефекты упаковки, представляющие нарушение закономерного расположения шютноупакованных слоев атомов. Плотноупакованный слой атомов можно представить в виде жестких шаров, плотно прилегающих друг к другу и образующих одну атомную плоскость. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5