Cтраница 1
![]() |
Зависимость плотности ямок травления от концентрации ЗСаО - Р2О5 в твердых растворах системы 2СаО - Si02 - ЗСаО-Р2О5. [1] |
Дефектность становится одним из главных факторов, определяющих гидратационную активность твердых растворов. Все модификации твердых растворов структурно сходны с соответствующими модификациями минерала без примесей, образующимися в интервале температур от комнатной до 1100 С. [2]
Дефектность по функциональности обусловлена побочными процессами сопровождающими целые реакции синтеза олигомеров с заданной функциональностью, а также незавершенностью процесса. [3]
![]() |
Структура вискозного студня. [4] |
Дефектность ( утолщения, разрывы, неоднородность по размерам структурных элементов и ячеек) сетчатой структуры вискозного студня увеличивается, если осадителем служит раствор серной кислоты. [5]
Дефектность определяется исходя из того, что дефекты расположены на длине провода случайно и распределены по длине провода по закону Пуассона. [6]
Дефектность мяса определяется также почернением отдельных мест, частичным позеленением поверхности и наличием плесени. [7]
Дефектность замеров в процессе проведения наблюдения отмечается в специальной графе. [8]
Дефектность рельсов по износу определяют промерами величины износа. Другие дефекты и трещины обнаруживают осмотром рельсов и проверкой специальными дефектоскопами; при осмотре рельсов применяют зеркала, щупы, лупы, молоточки. [9]
![]() |
Зависимость теплового сопротивления решетки сплавов GaSb-GazTe, Кривые 1 - S соответствуют сплавам с 0 1. 0 5 1 3 и 5 мол. % Ga Te. [10] |
Переменная дефектность в этих растворах дает возможность сопоставить экспериментальные данные с существующими теориями рассеяния фононов на точечных дефектах. [11]
Дефектность затравки - трещины и включения в ней, что приводит к отрыву от нее крупинок при выдержке кристалла в не-досыщенном растворе перед началом роста. [12]
Дефектность цветных фотошаблонов, покрытия которых сформированы вакуумным способом, находится на уровне дефектности хромированных фотошаблонов. [13]
Дефектность защитной маски фоторезиста является одной из основных причин появления брака при изготовлении интегральных схем. [14]
Дефектность пленок фоторезистов ( или их кислото-проницаемость) определяется числом дефектов ( сквозных отверстий-проколов в подложке, например в. В настоящее время среди методик определения кислотопроницаемости достаточно эффективно применяются такие, как конденсаторный метод, электрохимический, метод электрографии. [15]