Деформация - кристалл
Cтраница 2
Вычислим деформацию кристалла в отсутствие внешних механических напряжений. [16]
 |
Диаграмма растяжения стержня. / - кривая изменения истинного. [17] |
Рассмотрим подробнее деформацию кристалла металлического тела. Допустим, что кристалл не имеет дефектов, а напряжения в нем возрастают до тех пор, пока атомы одной плоскости не перекатятся по атомам другой плоскости в соседние узлы решетки. Когда деформация решетки, вызванная напряжениями т, достигает примерно этой величины, как показано на рис. 62 6, атомы / верхнего слоя скольжения окажутся в положении неустойчивого равновесия по отношению к атомам 2 нижнего слоя. Таким образом, перемещение атомов по плоскости с - с из исходного положения в положение неустойчивого равновесия представляет собой упругую деформацию, а перемещение из исходного положения в новое положение устойчивого равновесия представляет собой упруго-лла-стическую деформацию. [18]
 |
Три фазовых состояния вещества. [19] |
Для разрушения или деформации кристалла необходимо выполнить некоторую работу. [20]
Во-вторых, при деформации кристалла может происходить сдвиг простых решеток друг относительно друга. Сдвиги простых решеток вызывают изменение электрического момента, которое проявляется в пьезоэлектрическом эффекте. Поэтому пьезоэлектрическими свойствами обладают только кристаллы с низкой степенью симметрии. Так, например, элементарная ячейка кристаллов CsCl ( рис. 90) имеет центр симметрии и эти кристаллы не обнаруживают пьезоэлектрических свойств. Расположение же ионов в кристаллах кварца несимметрично, для него не имеется центра симметрии и поэтому кварц обладает пьезоэлектрическими свойствами. [21]
Предположим, что деформация кристалла не слишком велика, и мы можем пользоваться представлением об обратной решетке. [22]
На первой стадии деформации кристаллов, ориентированных для одиночного скольжения, реально действует одна система скольжения. [23]
Отметим, что деформацию кристалла формально можно учесть путем; подстановки ( l / te) - ( l / te) e ia ( см. примечание на стр. [24]
Тот или иной тип деформации кристалла при росте определяется прежде всего механическими свойствами этого кристалла. Поэтому один и тот же материал в зависимости от температуры роста, характера захваченных примесей, распределения напряжений может проявлять и хрупкие, и пластические свойства. Оба типа деформаций могут осуществляться в непосредственной близости в объеме кристалла. Так, расщепление обычно сопровождается последующим растрескиванием кристалла. И наоборот, ростовая трещиноватость может приводить к расщеплению. [25]
Легко понять геометрический смысл деформации кристалла, порожденный такой системой дислокации. [26]
Упругая волна, создавая деформацию кристалла, приводит к смещению зон энергии. Величины Vc и Vv, определяющие смещение зон энергии, носят название потенциалов деформации. [27]
Ранее было показано, что деформация кристаллов описывается тензором второго ранга. [28]
Пьезоэлектрическое преобразование, при котором деформация кристалла вызывает небольшие электрические напряжения, имеет недостатки: во-первых, не имеет характеристики постоянного тока, во-вторых, фиксирует лишь изменения. Тем не менее в некоторых приложениях это может найти применение, хотя в настоящее время данные устройства слишком хрупки для использования в промышленных условиях. Очувствление с использованием емкостных устройств слишком чувствительно к влиянию внешних электромагнитных полей, чтобы иметь практическое значение. Кроме того, как и при индукционном очувствлении, его реакция слишком сильно зависит от вида соприкасаемого материала. [29]
 |
Смешанная дислокация. [30] |
Страницы: 1 2 3 4