Деформация - кристалл
Cтраница 3
Дислокации появляются при кристаллизации и деформации кристалла, например, за счет сдвига или охлопывания вакансионных полостей. Дислокационные линии не обрываются внутри кристалла, они выходят на его поверхность, заканчиваются на других дислокациях или образуют замкнутые дислокационные петли. [31]
Как мы убедились, при деформации кристалла частично увеличивается порядок в расположении атомных плоскостей и уменьшается число простых дислокаций. Отсюда следует, что по мере того как кристалл подвергается деформациям, его прочность должна возрастать. Оказывается, что здесь важную роль играют спиральные дислокации, которые далеко не всегда исчезают при деформациях. [32]
 |
Изменение тангенса угла потерь tg 8 под влиянием внешнего давления р. f 100 кгц. Нд 0 8 а / м ( кривые 1 и 8 а / м ( кривые 2. [33] |
Значительные внешние нагрузки приводят к деформации кристаллов и, следовательно, к уменьшению намагниченности, а затем и к разрушению ферритов. [34]
Как мы убедились, при деформации кристалла частично увеличивается порядок в расположении атомных плоскостей и уменьшается число простых дислокаций. Отсюда следует, что по мере того как кристалл подвергается деформациям, его прочность должна возрастать. [35]
Как мы убедились, при деформации кристалла частично увеличивается порядок в распэложении атомных плоскостей и уменьшается число простых дислвкаций. Отсюда следует, что по мере того как кристалл даджергается дефврмациям, его прочность должна возрастать. Оказывается, что здесь важную роль играют спиральные дислокации, которые далеко не всегда исчезают при деформациях. [36]
Имеет место и обратный эффект: деформация кристалла под действием приложенного электрического поля. Ланжевен впервые в 1917 г. получил таким способом вынужденные высокочастотные упругие колебания в кварцевых пластинках, осуществив тем самым пьезоэлектрический излучатель ультразвука. Изобретение Ланжевена послужило толчком к настоящей цепной реакции практических применений ультразвука. [37]
Пьезоэлектрический модуль показывает, насколько изменяется деформация кристалла при изменении электрического поля. [38]
В пьезоэлектриках наблюдается обратный эффект - деформация кристалла в электрическом поле. [39]
 |
Изменение параметров с и а в зависимости от величины кристаллов ( L - размер слоя, Н - высота. [40] |
Особенно много дефектов упаковки возникает при деформации кристаллов графита. Известно [39, 40, 47, 62-64], что при этом содержание ромбоэдрической структуры в графитовом образце возрастает. Ее возникновение, по-видимому, связано с появлением дефектов упаковки. [41]
При пластической деформации наблюдаются оба вида деформации кристаллов, однако преобладающее значение имеет скольжение. [42]
Несколько иная ситуация реализуется в случае деформации кристалла ниже температурного порога хрупкости, где консервативное скольжение при малых и средних напряжениях фактически запрещено в силу наличия больших барьеров Пайерлса. В этом случае, даже если в выращенном кристалле и имеется некоторый исходный спектр гетерогенных источников ( относительно слабый без проведения специальных термообработок и являющийся функцией условий роста кристалла [595] и значительно более резкий при проведении специальных режимов отжига), процесс непосредственно призматического выдавливания дислокаций ( т.е. действие процесса неконсервативного их движения от имеющихся включений) подавлен в силу действия ряда факторов. К ним относятся: а) высокая величина напряжений Пайерлса, требующая для их преодоления обычным способом консервативного движения высоких напряжений порядка нескольких сотен кгс / мм2; б) резкое падение напряжений на включениях в зависимости от текущей координаты удаления петли от включения а-1 / г3 ( рис. 129); в) действие сил линейного натяжения, которые стремятся вернуть петлю на межфазную поверхность раздела. Это приводит к тому, что если дислокационная петля и зарождается, то она отходит на весьма малое расстояние от поверхности включения порядка 1 5 - 2 г ( см. рис. 29) постанавливается в силу того, что напряжение по мере отхода ее от включения резко умень - - шается и становится ниже требуемой для ее скольжения величины. [43]
Оно состоит в появлении электрических зарядов при деформации кристаллов в определенном направлении. [44]
Уравнения (4.79) или (4.80) означают, что деформация кристалла зависит не только от направления и типа приложенного напряжения. [45]
Страницы: 1 2 3 4