Деформация - кристаллическая решетка
Cтраница 1
Деформация кристаллической решетки определяется деформацией изделия в процессе его изготовления. При деформации кристаллической решетки происходит изменение удельного электросопротивления по двум причинам: вследствие изменения сил связи и амплитуды тепловых колебаний атомов и вследствие изменений положения центров рассеяния электронных волн. В тех случаях, когда при деформации первая и вторая причины будут давать изменение удельного электросопротивления разных знаков, общее изменение удельного электросопротивления может иметь весьма сложный характер зависимости от деформации. В частности, для ряда металлов такая зависимость характеризуется наличием минимума с последующим переходом к постоянной величине, если при этом не происходит перехода из области упругих деформаций в область пластических. [1]
Деформация кристаллической решетки полупроводника проявляется в изменении расстояний между атомами. При этом изменяется энергия электронов, часть из них переходит на более высокий энергетический уровень, возрастает число электронов проводимости, увеличивается их подвижность в электрическом поле. [2]
Известно, что деформация кристаллических решеток в процессе выветривания резко повышает поверхностную активность минералов, особенно в верхних горизонтах почв, где более сильно развиты процессы выветривания. Общим для темно-серой лесной и черноземной почв является присутствие в глинистой фракции этих почв глинистых минералов сложно-слоистой структуры, близких к монтмориллонитовой группе минералов. Как известно, поглощение органических молекулярных соединений монтмориллонитом происходит не только на поверхности, но и внутри, между плоскостями кристаллической решетки. В этом случае органические соединения более прочно закрепляются, чем при сорбции лишь на поверхности минеральных зерен. Этим должно объясняться большое количество органического вещества, остающегося в составе фракции гумина и не выделяющегося из почвы при коллоидно-химическом анатомировании агрегата. Эта почва имеет средне-устойчивые по характеру распада агрегаты глинисто-железисто-гуматного типа. [3]
При этом происходит деформация кристаллической решетки. [4]
При этом возникает деформация кристаллической решетки металла. [5]
Катаклаз основывается на деформации кристаллических решеток минералов, проявляющейся в появлении двойников скольжения, в волнистом и мозаичном угасании вплоть до их растрескивания и разрушения. [6]
При высоких напряжениях возникает деформация кристаллической решетки, которая возрастает с увеличением числа перемен напряжений. Вскоре после осуществления первых циклов изменения напряжений становится заметным искажение отдельных кристаллитов. [7]
Механические воздействия приводят к деформации кристаллической решетки, в процессе которой могут появляться деформационные нарушения симметрии. В частности, при этом в кристалле возникают точечные, линейные, двумерные п трехмерные дефекты кристаллического строения. [8]
Все это влияет на объемную и энергетическую деформацию кристаллической решетки твердого раствора - феррита. [9]
 |
Зависимость активности N и амплитуды U сигналов эмиссии от приложенного напряжения для образца из конструкционной стали. [10] |
Эмиссия, связанная с деформацией кристаллической решетки, проявляется в виде сигналов небольшой амплитуды с характеристиками, близкими к белому шуму. Разрывы материалов в области, испытывающей напряжения, превышающие предел упругости, вызывают появление импульсов эмиссии с большой амплитудой. [11]
АЭ, связанная с деформацией кристаллической решетки, проявляется в виде сигналов небольшой амплитуды с характеристиками, близкими к белому шуму. Разрывы материалов в области, где действуют напряжения, превышающие предел упругости, вызывают появление импульсов с большой амплитудой. [12]
 |
Структурная схема многоканальной аппаратуры для контроля методом акустической эмиссии. [13] |
Эмиссия, связанная с деформацией кристаллической решетки, проявляется в виде сигналов небольшой амплитуды с характеристиками, близкими к белому шуму. Разрывы материалов в области, испытывающей напряжения, превышающие предел упругости, вызывают появление импульсов эмиссии с большой амплитудой. [14]
 |
Зависимость поперечного модуля упругости кристаллической решетки от плотности энергии межцепного взаимодействия. [15] |
Страницы: 1 2 3 4