Пластическая деформация - кристалл - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Если вы спокойны, а вокруг вас в панике с криками бегают люди - возможно, вы что-то не поняли... Законы Мерфи (еще...)

Пластическая деформация - кристалл

Cтраница 2


16 Флуктуационное движение дислокации через кристалл со стопорами ( Uт - сдвигающее напряжение. [16]

Перемещение дислокаций приводит к пластической деформации кристаллов. Поскольку вклад каждой отдельной, дислокации невелик, пластическая деформация металлов происходит в результате перемещения огромного количества дислокаций.  [17]

18 Дефект по лы решетки заняты, то он может разместить - Френкелю Ся только в междоузлии. Оставшийся пус. [18]

Дислокации возникают в результате пластической деформации кристалла в процессе роста или при последующих обработках.  [19]

Движение дислокации связано с пластической деформацией кристалла.  [20]

Мы хорошо знаем, что пластическая деформация кристаллов каменной соли состоит в скольжении одних слоев относительно других по плоскостям ромбического додекаэдра, что пластическая деформация кристаллов цинка состоит в скольжении по плоскостям пи-накоида ( базиса), но мы не можем пока объяснить, почему это так. Мы хорошо знаем, что кристаллы каменной соли в воде приобретают большую пластичность. Этот так называемый эффект Иоффе в течение многих лет служил объектом тонких и остроумных исследований школы академика А. Ф. Иоффе, которые дали качественную картину, но не достигли того, чтобы дать количественную теорию.  [21]

Таким образом, весь процесс пластической деформации кристалла представляет собой движение и выход на поверхность большого числа дислокаций. Расчет показывает, что для деформации монокристаллов путем перемещения дислокаций требуется очень малое усилие, примерно такое же, как и напряжение пластического течения, определяемое экспериментально.  [22]

Вся совокупность или последовательность процессов пластической деформации кристалла представляет собой генетически заложенную в него иерархию разрешенных структурных состояний.  [23]

Развитие дислокационных представлений о механизме пластической деформации кристаллов, а также интенсивное накопление экспериментальных данных стимулируют непрерывные поиски физически обоснованной модели этой зависимости.  [24]

В предыдущем параграфе мы описывали пластическую деформацию кристалла фактически в терминах кинематики отдельной дислокации. И только упоминали возможность скопления большого числа дислокаций у стопора, ограничившись замечанием, что такое скопление создает определенную концентрацию напряжений.  [25]

Многочисленными экспериментами установлено, что механизмами пластической деформации кристаллов являются смещение, сдвиг ( трансляция) и двойникование. Преобладающим механизмом, свойственным кристаллам с кубической и гексагональной решеткой, является скольжение.  [26]

27 Зависимость параметра шероховатости поверхности от времени шлифования ( исходный параметр Ra 0 4 - j - 0 6 мкм, сила прижима Я 40 Н и силы прижима ленты к детали Р ( исходный параметр шероховатости поверхности Ra 0 2 - 4 - 0 3 мкм, время шлифования т 2 мин. ил 47 м / с. ядет г 136 об / мин. dneT 120 мм, СОЖ - эмульсия, шлифование на свободной ветви лентами АСМ 20 / 14 Р9 100 %, АСМ 20 / 14 Р1 60 %, АСМ 28 / 20 Р4 100 %, АСМ 20 / 14 Р1 100 %, АСМ 20 / 14 Р9 100 %. [27]

При алмазном шлифовании ими зафиксированы элементы пластической деформации кристаллов основного компонента керамики А12О3 - высокотемпературной модификации оксида алюминия. Вокруг деформированного участка поверхности обнаружено напряженное состояние структуры материала и трещины, идущие в разных направлениях в зависимости от дефектов структуры.  [28]

Как было показано движение дислокаций вызывает пластическую деформацию кристалла, а ее величина пропорциональна суммарной площади, пройденной дислокациями.  [29]

30 Схема дислокационной структуры границы между кристаллами. [30]



Страницы:      1    2    3    4