Пластическая деформация - кристалл
Cтраница 4
Рассмотренное явление может служить одной из причин того, что часто при пластической деформации кристаллов имеет место скольжение по плоскостям: в этом случае растяжение, которое понижает энергию в определенных кристаллографических плоскостях, заставляет присутствующие дислокации располагаться предпочтительно в таких ориентациях; кроме того, следует ожидать, что движение дислокации путем скольжения происходит легче, если она растянута. Для нас в данном случае наиболее важным фактом является то, что пороги обладают более высокой энергией в растянутых дислокациях. Следовательно, в условиях приближения к тепловому равновесию пороги будут реже и эти дислокации будут менее эффективными источниками выравнивания концентрации вакансий в кристалле. [46]
В области пластических деформаций механохимический эффект сопровождается хемомеханическим эффектом, выражающимся в облегчении - пластической деформации кристалла, на поверхности которого протекают химические реакции. [47]
 |
Образование и уплотнение дислокационных стенок при местном изгибе образца, нагруженного сжимающей нагрузкой [ 331. [48] |
При нагружении образца дислокации сначала быстро перемещаются в плоскости скольжения, что приводит к развитию пластической деформации кристалла. В дальнейшем дислокации более медленно перемещаются в направлении, перпендикулярном к плоскости скольжения, в процессе диффузии. Пример такого движения представляет собой восходящее движение краевых дислокаций. Это медленное движение связано с диффузией вакансий и атомов внедрения в сторону дислокации. [49]
Таким образом, хотя в рассматриваемом случае основным способом перемещения дислокации является скольжение, скорость пластической деформации кристалла лимитируется диффузионными процессами, обеспечивающими переползание дислокации. [50]
Такое положение не смущает физиков, они упорно и детально исследуют явления, происходящие при пластических деформациях кристаллов, постепенно приближаются к истинному пониманию, к созданию настоящей физической пластичности кристаллов. Вне всякого сомнения эта теория будет создана. [51]
 |
Изменение электропроводности IIR. [52] |
На третьем этапе образуется достаточное количество участков металлического контактирования поверхностей, образуется схватывание в микроскопических объемах, происходит пластическая деформация уже соединенных кристаллов. [53]
 |
Изменение электропроводности прессованных образцов AgJ при разных температурах с течением времени. [54] |
Кондуктометрические опыты с отжигом пластически деформированных образцов под нагрузкой позволяют оценить энергию активации процесса выползания дислокаций из нарушенного при пластической деформации кристалла. Для случая бромида серебра Джонстон [13] получил значение энергии активации этого процесса в 26 300 кал / моль. [55]
Экспериментально наблюдаемое большое разнообразие деформационных структур, их иерархия и особенности возникновения, указывают на проявление кооперативных эффектов в процессе пластической деформации кристаллов, связанных с самоорганизацией дислокаций и других дефектов кристаллической решетки. [56]
Методом рентгенографического анализа в соответствии с имеющимися представлениями о зависимости между уширением интерференционной линии, величиной пластической деформации и плотностью дислокаций оценивается пластическая деформация кристаллов в процессе дегидратации огнезащитного, полученного на основе фосфогипоа и ПВАЭ, материала. [57]
В результате в области упругого двойникования практически решена одна из основных задач физики прочности и пластичности - достижение полного количественного описания процесса пластической деформации кристалла упругим двойникованием в дислокационных терминах. Поскольку эта задача еще не решена для других способов пластической деформации, то представлялось полезным изложить совокупность результатов, полученных при изучении упругих двойников. Кроме того, знакомство с этой областью позволяет также рассмотреть ряд проблем физики прочности и пластичности, таких, как гистерезис, последействие, акустическая эмиссия, эффекты сверхупругости и памяти формы, на уровне изолированного скопления дислокаций, что позволяет перейти к дислокационному описанию термоупругих мартенситных включений и сегнетоэластических доменов. [58]
Страницы: 1 2 3 4