Использование - мощный транзистор
Cтраница 1
 |
Форма напряжения и тока базы выходного каскада. [1] |
Использование мощных транзисторов в выходных каскадах строчной развертки возможно при наличии мощных предоконечных каскадов, обеспечивающих мощность, необходимую для управления выходным транзистором. Так как в течение времени прямого хода транзистор должен работать в режиме насыщения, то на базу необходимо подавать отрицательное напряжение, достаточное для полного отпирания транзистора. Ток базы для большинства мощных транзисторов в режиме насыщения равен 0 5 - 0 8 А. [2]
При использовании мощных транзисторов ток нагрузки может доходить до нескольких ампер, а при параллельном соединении транзисторов - до 10 а и выше. Для таких токов балластное сопротивление может иметь столь малую величину ( 1 - 2 ом), что его роль вполне может играть выходное сопротивление выпрямителя. Более того, последнее нередко превышает необходимое значение R0 и тогда стабилизатор не может работать в оптимальном режиме, если не пересчитать выпрямитель. [3]
При использовании мощных транзисторов ток нагрузки может доходить до нескольких ампер, а при параллельном соединении транзисторов - до 10 А и выше. Для таких токов балластное сопротивление может иметь столь малое значение ( 1 - 2 Ом), что его роль вполне может играть выходное сопротивление выпрямителя. Более того, последнее нередко превышает необходимое значение о и тогда стабилизатор не может работать в оптимальном режиме, если не пересчитать выпрямитель. [4]
Более предпочтительно использование внешних мощных транзисторов, весьма просто объединяемых с интегральным стабилизатором и обеспгчивающих существенное увеличение выходного то: а источника питания. [5]
Кроме того, использование мощных транзисторов в облегченных режимах без теплоотводов ведет к потенциальной температурной неустойчивости вследствие саморазогрева за счет большой величины / Кбо. Сама величина / Keo становится сравнимой с рабочими токами. [6]
Для повышения входного сопротивления, в особенности при использовании мощных транзисторов, полезным оказывается включать в цепь базы последних маломощный эмиттерный повторитель. Это значительно повышает входное сопротивление и улучшает динамические характеристики каскада. [7]
При выборе транзисторов по мощности следует учитывать, что использование мощных транзисторов на малых токах приводит к снижению устойчивости их работы в диапазоне температур, к резкому снижению коэффициента передачи при низких температурах и к нестабильности во времени. Использование маломощных транзисторов на больших мощностях, близких к предельно допустимым, снижает надежность работы из-за перегрева, снижения температурной устойчивости и уменьшения напряжения пробоя. [8]
При выборе транзистора по мощности следует учитывать, что использование мощных транзисторов на малых токах приводит к снижению устойчивости их работы в диапазоне температур, к резкой зависимости коэффициента усиления от температуры и к нестабильности во времени. [9]
Необходимость заземления коллекторов, как уже упоминалось, возникает при использовании мощных транзисторов, у которых коллекторы соединены с корпусом, а корпус крепится к радиатору для облегчения теплоотдачи. [10]
Часто бывает необходимо, как мы видели в приведенных выше схемах, использование мощных транзисторов или других сильноточных устройств, таких, как КУВ или силовые выпрямители, рассеивающих мощности во много ватт. Недорогой и очень распространенный мощный транзистор 2N3055, будучи правильно смонтированным, рассеивает мощность до 115 Вт. Все мощные устройства выпускаются в корпусах, обеспечивающих тепловой контакт между их металлической поверхностью и внешним радиатором. [11]
Не следует применять мощные транзисторы там, где можно применить маломощные, так как при использовании мощных транзисторов в режиме малых токов их коэффициент передачи по току мал и сильно зависит как от тока, так и от температуры окружающей среды. Кроме того, ухудшаются массогабаритные и стоимостные показатели ЭА. [12]
Не рекомендуется применять мощные транзисторы в тех случаях, когда можно использовать маломощные, поскольку при работе мощных транзисторов в маломощных схемах ( при малых токах, которые могут быть соизмеримы с обратным током коллектора) коэффициент передачи по току сильно зависит как от тока, так и от температуры окружающей среды, и кроме того, мал по абсолютной величине. Использование мощных транзисторов без теплоотводов приводит к температурной неустойчивости работы транзистора. [13]
Эти требова-ваяия особенно существенны для мощных транзисторов, та. При использовании мощных транзисторов малые температурные изменения параметров могут быть достигнуты достаточно эффективным охлаждением транзистора. В ТУ на прибор или в справочнике приводятся предельно допустимые данные, которые иногда называются как предельно допустимые эксплуатационные значения. [14]
Приводятся справочные данные по техническим, электрическим и эксплуатационным характеристикам и параметрам современных мощных транзисторов, рассеиваемая мощность которых превышает 1 Вт. Рассматриваются особенности использования мощных транзисторов в аппаратуре. [15]
Страницы: 1 2