Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Женщина верит, что дважды два будет пять, если как следует поплакать и устроить скандал. Законы Мерфи (еще...)

Использование - мощный транзистор

Cтраница 2

Область максимальных.| Зависимость постоянной рассеиваемой мощности от температуры корпуса.  [16]

Особенностью применения мощных биполярных транзисторов является работа этих приборов в режимах, близких к предельным по температуре перехода. Для обеспечения надежной работы аппаратуры режимы использования мощных транзисторов должны выбираться таким образом, чтобы ток и напряжение не выходили за пределы области максимальных режимов. На рис. 2.3 приведен типичный вид области максимальных режимов мощного биполярного транзистора. Сплошными линиями ограничена область статического режима работы транзистора, а пунктирными - импульсного.  [17]

Зависимость пробивного напря - [ IMAGE ] Зависимость емкости коллек-жения коллектор-эмиттер при сопротив - торного перехода транзистора 2Т839А от лении в цепи базы транзистора 1Т311А напряжения коллектор-база от сопротивления в цепи базы.  [18]

Особенностью применения мощных биполярных транзисторов является работа этих приборов в режимах, близких к предельным по температуре перехода. Для обеспечения надежной работы аппаратуры режимы использования мощных транзисторов должны выбираться таким образом, чтобы ток и напряжение не выходили за пределы области максимальных режимов. На рис. 17 приведен типичный вид области максимальных режимов мощного биполярного транзистора. Сплошными линиями ограничена область статического режима работы транзистора, а штриховыми - импульсного.  [19]

Область максимальных.| Зависимость постоянной рассеиваемой мощности от температуры корпуса.  [20]

Особенностью применения мощных биполярных транзисторов является работа этих приборов в режимах, близких к предельным по температуре перехода. Для обеспечения надежной работы аппаратуры режимы использования мощных транзисторов должны выбираться таким образом, чтобы ток и напряжение не выходили за пределы области максимальных режимов. На рис. 2.3 приведен типичный вид области максимальных режимов мощного биполярного транзистора. Сплошными линиями ограничена область статического режима работы транзистора, а пунктирными - импульсного.  [21]

Особенностью применения мощных биполярных транзисторов является работа этих приборов в режимах, близких к предельным по температуре перехода. Для обеспечения надежной работы аппаратуры режимы использования мощных транзисторов должны выбираться таким образом, чтобы ток и напряжение не выходили за пределы области максимальных режимов. На рис. 2.12 приведен типичный вид области максимальных режимов мощного биполярного транзистора.  [22]

Область максимальных [ IMAGE ] Зависимость постоян.  [23]

Особенностью применения мощных биполярных транзисторов является работа этих приборов в режимах, близких к предельным по температуре перехода. Для обеспечения надежной работы аппаратуры режимы использования мощных транзисторов должны выбираться таким образом, чтобы ток и напряжение не выходили за пределы области максимальных режимов. На рис. 2.3 приведен типичный вид области максимальных режимов мощного биполярного транзистора. Сплошными линиями ограничена область статического режима работы ( ранзистора, а пунктирными - импульсного.  [24]

В шестой главе речь идет о снижении сопротивления насыщения мощных транзисторов. Благодаря разработке транзисторов со сниженной величиной сопротивления насыщения появилась возможность создания устройств на мощных транзисторах с резко увеличенным коэффициентом полезного действия, что позволило значительно расширить диапазон использования современных мощных транзисторов.  [25]

Страницы:      1    2