Cтраница 1
Использование германиевого транзистора 2N4277 ограничивает минимальную разницу напряжений V, - V2 до 2 7 В при 5 А и до 1 3 В при 10 А. Изменяя сопротивление R2, можно получить выходные напряжения от 3 до 24 В. В случае возникновения короткого замыкания на выходе транзистор Q2 закрывается и отключает стабилизатор. [1]
![]() |
Упрощенная схема стабилизации рабочей точки с дополнительным отрицательным питающим напряжением. [2] |
При использовании германиевых транзисторов в этой схеме необходимо принимать во внимание обратные токи, так как они примерно в 1000 раз больше, чем у кремниевых транзисторов. [3]
Так, при использовании германиевых транзисторов и отсутствии специальных мер по термостабилизации схемы отклонение от средней длительности импульса при 20 С составляет приблизительно 20 % в диапазоне температуры от - 40 до 50 С. [4]
He учитывалось также влияние обратного тока коллектора, который для схем рис. 5.2 полностью исключает необходимость в пусковом резисторе при использовании германиевых транзисторов, однако его явно недостаточно для возбуждения кремниевых транзисторов. [5]
![]() |
Транзисторная логическая схема с непосредственными связями. [6] |
Недостатками схем являются критичность к разбросу входных характеристик транзисторов, сравнительно малое быстродействие вследствие глубоко насыщенных режимов работы и ограниченный верхний предел рабочей температуры при использовании германиевых транзисторов из-за отсутствия запирающего смещения. [7]
В основном в осциллографах применяются кремниевые транзисторы. При использовании германиевых транзисторов возникает большая температурная нестабильность из-за их большого обратного тока. [8]
Может показаться, что для термокомпенсации положительного температурного коэффициента целесообразно увеличивать R. Однако при использовании германиевых транзисторов это не дает эффективной термокомпенсации в широкой области температур, так как при изменении температуры ток базы изменяется нелинейно. Поэтому для термокомпенсации используются другие методы. [9]
Нельзя забывать и того, что по мере увеличения усиления каждой ступени повышается склонность усилителя к самовозбуждению. Приемник становится неустойчивым в работе, особенно при использовании германиевых транзисторов, параметры которых при изменении температуры сильно меняются. [10]
Заметим, что, как и в схеме 4 - 5, напряжение смещения для базы транзистора обеспечивается с помощью сопротивлений Rl и R. Этот метод стабилизации по постоянному току пригоден и при использовании германиевых транзисторов в указанном выше диапазоне температур. [11]
Выбор величины S производится с учетом допустимого изменения тока коллектора, максимально допустимой мощности рассеивания и допустимой мощности рассеивания в стабилизирующей цепи. Значение S отЗ до5 соответствует увеличению температуры на 80 С при использовании германиевых транзисторов. [12]
Он имеет хороший коэффициент шума, хорошую частотную характеристику и небольшое число элементов. За счет температурной стабилизации обеспечивается надежность действия в широком диапазоне температур, правда ограниченном сверху вследствие использования германиевых транзисторов. [13]
![]() |
Усредненные характеристики г3. [14] |
Однополярное управление германиевыми низкочастотными транзисторами применимо лишь в низко-омных схемах транзисторных модуляторов и при низких температурах окружающей среды. При использовании германиевых высокочастотных транзисторов, имеющих при однополярном управлении большую величину г3, однополярное управление применимо в более широком диапазоне температур и в более высокоомных схемах, чем при использовании низкочастотных германиевых транзисторов. [15]