Использование - германиевый транзистор
Cтраница 2
 |
Схема однополупериодного модулятора на биполярном транзисторе для высоко-омных источников сигнала. [16] |
На рис. 3 - 15 приведена схема однополупериодного модулятора, предназначенного для работы с RM в десятки и сотни килоом. L / Mi - Использование одно-полярного управления позволяет в значительной степени уменьшить напряжение помехи на выходе модулятора, вызванной выбросами при переключении транзистора, однако препятствует получению большой величины динамического сопротивления закрытого транзистора при использовании германиевых транзисторов. [17]
 |
Схема, представляющая транзистор как управляемый вентиль. [18] |
Построение преобразователей на кремниевых транзисторах по схеме II вполне оправдывается при использовании одной ячейки. Если сравнить возможности использования кремниевых и германиевых транзисторов в схемах преобразования малых сигналов постоянного тока в переменный, то окажется, что кремниевые транзисторы превосходят германиевые в отношении температурного диапазона работы, но значительно уступают им по стабильности и воспроизводимости характеристик, простоте настройки и экономическим показателям. В дальнейшем будут показаны примеры использования транзисторных модуляторов в измерительных устройствах и сформулированы требования к преобразователям в зависимости от условий эксплуатации. [19]
Выбирают тип транзистора по допустимой нестабильности в рабочем диапазоне температур и допустимому напряжению коллектор - эмиттер. Если ДГИ / ГП jgCjlO 2, то выбирают кремниевый транзистор. При большей величине допустимой нестабильности возможно использование германиевого транзистора. [20]
Уровень остаточного напряжения современных кремниевых транзисторов менее устойчив к циклическому изменению температуры, чем германиевых. Если после нагревания и охлаждения преобразователя на германиевом транзисторе остаточное напряжение у 60 % транзисторов изменяется не более чем на 15 % и имеет воспроизводимый характер, то после нагревания и охлаждения преобразователя на кремниевом транзисторе остаточное напряжение изменяется не более чем на 15 % только у 10 % транзисторов ( П105 - П106) и у большинства из них не наблюдается его воспроизводимости. Как было показано выше, при использовании германиевых транзисторов этот источник нестабильности может быть частично нейтрализован правильным подбором пар. В случае применения кремниевых транзисторов такой подбор становится затруднительным, так как изменение остаточного напряжения VR кремниевых транзисторов при циклическом изменении температуры имеет беспорядочный характер. [21]
Если длительность фронтов импульсов задана, транзисторы необходимо выбрать по заданному фронту импульса. При жестких требованиях к стабильности временных параметров импульсов и рабочий температур, больших 75 С, необходимо применять кремниевые транзисторы. Следует иметь в виду, что импульсы с нестабильностью длительностей от § до 5 % и больше в диапазоне температур от - 50 до - ( - 50 С могут быть получены при использовании германиевых транзисторов. [22]
С при RQ 0 5 кОм dlK 0 3 мА - что составляет примерно 6 % от рабочих токов. Расчеты показывают, что в формировании дрейфа наибольшее долевое участие в низко-омных цепях принадлежит температурному смещению напряжения на переходе база-эмиттер ( примерно - 2 3 мВ К-1); существенную добавку может оказать обратный ток коллекторного перехода при использовании германиевых транзисторов. [23]
Схема, как показывают измерения, хорошо работает при температурах от-25 до 55 С. Частотная характеристика равномерна в пределах 0 5 дб в диапазоне частот 10 гц - 250 кщ. Схема используется прежде всего как предусилитель для измерительных приборов и осциллографов, однако ее легко приспособить к любому устройству, требующему высокого, входного сопротивления. Использование германиевых транзисторов ограничивает температурный диапазон, но в указанных пределах схема работает хорошо. [24]
Страницы: 1 2