Использование - кремниевый транзистор
Cтраница 1
Использование кремниевых транзисторов для создания высокостабильяых модуляторов встречает известные трудности ввиду низкой стабильности величины остаточного напряжения при изменении температуры и во времени. [1]
Желательно использование кремниевых транзисторов, параметры которых в меньшей степени зависят от изменения температуры. В последнее время появились новые типы транзисторов - спейсисторы ( полевые транзисторы), которые, очевидно, найдут широкое применение в схемах УПТ. [2]
При использовании кремниевых транзисторов следует учитывать напряжение Ua-5. [3]
При использовании кремниевого транзистора в корпусе ТО-8 при температуре окружающей среды 40 С в условиях естественной конвекции рассеивается мощность до 10 вт. [4]
 |
Схемы запуска триггера. [5] |
В случае использования кремниевых транзисторов возможно применение триггеров с одним источником питания. В таком триггере транзисторы своими электродами коллектор - эмиттер включены параллельно между шинами источника питания. При закрытых транзисторах в таком триггере напряжение на коллекторе TI и базе Т2 близко к напряжению источника - Ек, а напряжение на коллекторе Тг и базе 7 близко к нулю, поскольку через транзисторы протекают весьма малые обратные токи переходов. Следовательно, между электродами база - эмиттер транзисторо в приложено запирающее напряжение. [6]
Необходимо заметить, что при использовании кремниевых транзисторов, как это имеет место, например, в современных интегральных схемах, рассмотренная цепь диодной связи может быть упрощена исключением источника - - Еб. Последнее оказывается возможным благодаря правому расположению характеристики к / ( I б) кремниевого транзистора. В этом случае транзистор типа р - п - р оказывается практически запертым ( см. гл. [7]
Необходимо заметить, что при использовании кремниевых транзисторов или диодов изменение величин / но или / дс, может оказывать меньшее влияние на длительность импульса по сравнению с другими рассмотренными выше факторами. [8]
Поскольку ия и U6all при использовании однотипных кремниевых транзисторов изменяются в температурном диапазоне работы схемы одинаково, величина тока / к 1 стабильна. [9]
Основное влияние на стабильность задержки при использовании кремниевых транзисторов оказывает изменение напряжений е0к и е0 с температурой. [10]
 |
Схема двухкаскадного экономичного усилителя с непосредственной связью, выполненного по схеме с общим эмиттером. [11] |
Высокая стабильность схемы рис. 6.4 получена благодаря использованию кремниевых транзисторов и охвату усилителя общей петлей отрицательной обратной связи по постоянному току. В результате этого режим работы каскадов оказывается слабо чувствительным к изменению температуры окружающей среды и смене транзисторов. [12]
Различие в величинах / см особенно заметно при использовании кремниевых транзисторов. [13]
При сравнении кривых 1 и 2 на рис. 3 видно, что с точки зрения рассеиваемой мощности использование кремниевых транзисторов выгоднее, чем германиевых. [14]
Первый из рассмотренных случаев характерен при использовании в качестве транзисторных ключей германиевых транзисторов, второй - при использовании кремниевых транзисторов. Поэтому переход на однополярное управление может уменьшить токовую составляющую нулевого уровня схем транзисторных модуляторов только при применении в качестве транзисторных ключей кремниевых транзисторов. [15]
Страницы: 1 2