Cтраница 2
Кроме того, в схеме рис. 6.6, б не удается обойтись без источника смещения Еб даже при использовании кремниевого транзистора, что оказывается возможным в схеме рис. 6.6, а ( см. гл. [16]
Для повышения стабильности частоты генератора применяются специальные меры: применение термокомпенсирующих конденсаторов, слабая связь контура генератора с транзистором, использование кремниевого транзистора. [17]
В настоящее время выпускают специальные транзисторы, предназначенные для работы в микрорежиме. На практике при использовании кремниевых транзисторов типа 2Т301А, 2Т319 и других получены элементы, работающие с частотой переключения порядка 1 МГц и потребляемой мощностью порядка нескольких милливатт. [18]
Вместо транзисторов типа КТ315Е допускается использование любых кремниевых транзисторов со статическим коэффициентом усиления не ниже 50 и напряжением насыщения коллектор-эмиттер ( при токе 20 - 30 мА) не более 0 5 В. [19]
Однако с уменьшением R2 увеличивается ток базы транзистора Т2 в исходном состоянии. Одной из эффективных мер является также использование кремниевых транзисторов, имеющих малые значения тока / ко. [20]
Окончательное уравновешивание цифрового моста всегда производится автоматически по командам со стороны управляющего устройства УУ и сравнивающего устройства СУ. Ключи в четвертом плече моста выполняются обычно с использованием кремниевых транзисторов, работающих в режиме отсечки, что соответствует разомкнутому состоянию ключа, или в режиме глубокого насыщения, что соответствует замкнутому состоянию ключа. [21]
Поскольку ( / д и L / бэ11 ПРИ использовании однотипных кремниевых транзисторов изменяются в температурном диапазоне работы схемы одинаково, то ток / кц стабилен. [22]
Тринистор КУ202В можно заменить на КУ201Г, Д238Е, а КУ103А - на любой из этой серии, а также КУ101 А, но при этом следует учесть, что подойдут только такие, у которых напряжение включения не более 1 В, и до подборки резистора R15 следует заменить резистор R14 на другой, сопротивлением 100 Ом. Диод КД202В можно заменить на КД213А или более мощный, а при использовании кремниевых транзисторов в регулирующем элементе его можно исключить. [23]
Фактические характеристики усилителей талпа УП ( П2 значительно лучше гарантированных. Так же как и ( усилитель типа УШТ1, усилитель типа УППй имеет ( модификацию для тропического климата 1 ( У1П П2Т), отличающуюся эаирытьвм гиополнением я использованием кремниевых транзисторов. [24]
Так, приведенный дрейф по напряжению простейших параллельно-балансных каскадов, собранных по схемам рис. 2 - 8, составляет при номинальных токах / э 0 2 - г - 2жа 50 - 100 мкв / град и менее в диапазоне температур - 40 - 50 С для германиевых и - 40 - т - 70 С для кремниевых транзисторов. Нестабильность входного тока для этих схем, как легко убедиться, воспользовавшись формулой ( 2 - 23), составляет 0 2 - 5 мка / град при использовании кремниевых транзисторов. [25]
Обратный ток разомкнутого симметричного ключа равен половине разности обратных токов транзисторов. Сопротивление замкнутого ключа на германиевых транзисторах составляет значение порядка 10 ом, на кремниевых - 30 ом. При использовании кремниевых транзисторов обратный ток ключа не превышает 0 1 мка, германиевых - 5 мка. [26]
Малая входная мощность, необходимая для схем управления на транзисторах, обычно подается с индикаторной или с задающей схемы в системах открытого контура или с усилителя ошибки в системах замкнутого контура. Как правило, в системах переменного тока входной сигнал необходимо синхронизовать с частотой сети. В инверторах, работающих от источника постоянного тока, обычно необходимо задавать стабилизированную частоту. В большинстве случаев эту роль выполняет генератор на двухбазовом диоде ( подразд. На этой же диаграмме показана типичная схема на транзисторах, которая способна генерировать сигналы такой формы. Каждая из приведенных здесь схем имеет много разнообразных вариантов, рассмотрение которых выходит за рамки нашей книги. Там, где в схемах указываются р-п - р - транзисторы, легко произвести перерасчет также и для п-р-п-транзисторов. Это может оказаться особенно важным, если желательно использование кремниевых транзисторов для схем, работающих в критических высокотемпературных условиях. [27]