Кристаллический диэлектрик - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Порядочного человека можно легко узнать по тому, как неуклюже он делает подлости. Законы Мерфи (еще...)

Кристаллический диэлектрик

Cтраница 3


31 Конструктивная схема измерительного механизма. [31]

Так, для кристаллических диэлектриков ( кварц, слюда) характерна электронная и ионная поляризация, а для неорганических диэлектриков ( стекло, керамика и др.) - электронная и структурная поляризация.  [32]

Сегнетоэлектриками называется группа кристаллических диэлектриков, у которых в отсутствие внешнего электрического поля возникает самопроизвольная ( спонтанная) ориентация дипольных моментов молекул, входящих в состав кристаллической решетки. В результате этого Сегнетоэлектрики состоят из совокупности микроскопических областей ( доменов), поляризованных в различных направлениях.  [33]

Сегнетоэлектриками называется группа кристаллических диэлектриков, обладающих в определенном интервале температур самопроизвольной ( спонтанной) поляризацией, которая сильно изменяется под влиянием внешних воздействий электрического поля, деформации, изменения темпе ратуры.  [34]

Сегнетоэлектрнками называется группа кристаллических диэлектриков, обладающих в определенном интервале температур самопроизвольной ( спонтанной) поляриза-цией, которая сильно изменяется под влиянием внешних воздействий - электрического поля, деформации, изменения температуры.  [35]

Она происходит в кристаллических диэлектриках, построенных из положительных и отрицательных ионов, - в галоидно-щелочных кристаллах, слюдах, керамиках. В электрическом поле в таких диэлектриках происходит смещение электронных оболочек в каждом ионе - электронная поляризация. Это смещение приводит к появлению дополнительного электрического момента / п, увеличивающего поляризованность, а следовательно, и диэлектрическую проницаемость на еги. Таким образом, диэлектрическая проницаемость ионного кристалла равна ег - eroo - f еги, где еги зависит от физической природы ионов, сил их взаимодействия и строения кристаллической решетки.  [36]

37 Прибор Хри-стиансена для определения удельной теплопроводности относительным способом. [37]

Как общее правило, кристаллические диэлектрики имеют ет меньшее, чем аморфные. Величина QT несколько зависит от температуры, в, большинстве случаев уменьшаясь при повышении последней.  [38]

39 Прибор Христиансена для относительного определения-теплопроводности. [39]

Как общее правило, кристаллические диэлектрики имеют рт, меньшее, чем аморфные. Величина рт несколько зависит от температуры, в большинстве случаев уменьшаясь при повышении последней.  [40]

41 Прибор Христиансена для. [41]

Как общее правило, кристаллические диэлектрики имеют р, меньшее, чем аморфные. Величина рт несколько зависит от температуры, в большинстве случаев уменьшаясь при повышении последней.  [42]

43 Расщепление энергетических уровней электронов изолированных атомов при сближении атомов и образование энергетических зон.| Образование энергетического спектра электронов в кристаллическом, диэлектрике. [43]

По своим механическим свойствам кристаллические диэлектрики отличаются большей хрупкостью и твердостью, в то время как металлы более пластичны и упруги.  [44]

К третьей группе относятся кристаллические диэлектрики. При ИНесении их в электрическое пол-е происходит некоторое небольшое смещение положительных ионов кристаллической решетки по полю, а отрицательных - против поля.  [45]



Страницы:      1    2    3    4