Кристаллический диэлектрик

Cтраница 4

По Сканави [4], кристаллические диэлектрики отличаются высокими электрическими свойствами благодаря плотной упаковке и прочному закреплению ионов в узлах кристаллической решетки, препятствующих свободному передвижению ионов. [46]

Как общее правило, кристаллические диэлектрики имеют Хт большие, чем аморфные. Величина Хт несколько зависит от температуры. [47]

Как общее правило, кристаллические диэлектрики имеют Хт большие, чем аморфные. Величина лт несколько зависит от температуры. [48]

Как общее правило, кристаллические диэлектрики имеют рт меньшее, чем аморфные. Величина рг несколько зависит от температуры. [49]

Как общее правило, кристаллические диэлектрики имеют более высокие значения ут чем аморфные. Величина YT несколько зависит от температуры. [50]

Некоторые представители особого класса кристаллических диэлектриков - уже упоминавшиеся выше сегнетоэлектрики - в определенных условиях могут иметь исключительно высокие значения е, порядка тысяч и даже десятков тысяч. Таким образом, диэлектрики могут значительно различаться по величине диэлектрической проницаемости, хотя это различие выражено все же не так сильно, как различие в величине удельного сопротивления ( см. гл. [51]

Относительная диэлектрическая проницаемость большинства кристаллических диэлектриков почти - не изменяется с изменением температуры. Это означает, что диэлектрические свойства твердых тел связаны с перераспределением зарядов внутри молекул и не зависят от теплового движения последних. [52]

Ввиду того что пробой твердых кристаллических диэлектриков внешне весьма сходен с пробоем газов, необходимо допустить, в случае справедливости представлений Давыдова, что и в кристаллах диэлектриков атомы могут не только ионизироваться, но переходить в возбужденное состояние без отрыва от них соответствующего электрона. [53]

Ионная поляризация происходит в кристаллических диэлектриках с кубическими ионными решетками. В узлах кристаллической решетки таких диэлектриков расположены разноименные ионы. Под действием электрического поля положительные ионы диэлектрика смещаются в направлении силовых линий электрического поля, а отрицательные ионы - в противоположном направлении. Происходит смещение ионных решеток. [54]

Ионно-релаксационная поляризация наблюдается в кристаллических диэлектриках, имеющих примеси, в керамических материалах и стеклах. [55]

Пунктирной кривой изображены два потенциальных барьера 1 и 2, в которых может находиться ион в отсутствие внешнего электрического поля ( энергия активации, необходимая для преодоления потенциального барьера, равна W. [56]

Рассмотрим картину электропроводности в твердых кристаллических диэлектриках. Как атомы в узлах решетки, так и примесные атомы испытывают тепловые колебания около положений равновесия. Если слабо закрепленный атом ( ион) получает достаточно большую энергию, он может переместиться из одного места закрепления в другое. [57]

Поместим в однородное электрическое поле кристаллический диэлектрик -, обладающий кубической решеткой. [58]

Страницы: 1 2 3 4