Cтраница 1
![]() |
Принципиальная схема прибора для испытания транзисторов. [1] |
Испытание полупроводниковых приборов проводится на универсальных измерительных приборах сборной специальной схемы, а также на испытателе ИПП-1. Последний значительно ускоряет процесс испытания и дает большую точность. Основным параметром, определяющим отсутствие пробоя между эмиттером и коллектором, а также между базой и коллектором, является начальный ток коллектора / кн - По параметру / ко можно судить об утечках тока. [2]
Испытания полупроводниковых приборов проводят в соответствии с техническими требованиями на эти приборы. [3]
Испытания полупроводниковых приборов проводятся в соответствии с техническими требованиями на эти приборы. Различают следующие виды технических требований: требования к конструкции приборов ( конструктивные); электрические; механические; климатические. [4]
Для испытания полупроводниковых приборов на отсутствие коротких замыканий и обрывов выводов используется блок индикации дефектов 3, который является самостоятельным устройством и в комплект ударно-вибрационного стенда не входит. [5]
Для испытания полупроводниковых приборов на воздействие повышенных и пониженных температур используют установки тепла и холода. Для примера рассмотрим установку КТХ-0015-65 / 155 ( рис. 139), обеспечивающую повышение до 155 С или понижение до - 65 С температуры в рабочем объеме камеры при автоматическом или ручном управлении. Точность поддержания и неравномерность распределения температуры в рабочем объеме не превышает 2 С. Время нагрева до рабочей температуры 155 С составляет 30 мин, а время охлаждения до температуры - 65 С - 45 мин. Установка состоит из термокамеры 2, коммутационной вставки / и автоматической фреоновой двухступенчатой холодильной машины 3 ( ФДС-0 ЗА) с пультом управления. [6]
Для испытаний полупроводниковых приборов при заданной влажности применяют камеры тепла и влаги. [7]
Как классифицируются испытания полупроводниковых приборов. [8]
Электрический режим испытания полупроводниковых приборов задается в зависимости от типа прибора и устанавливается, в основном, исходя из оптимальных условий выявления дефектов в процессе испытания. При обнаружении резонансных частот или частот, на которых наблюдается нестабильность режима, производится дополнительное испытание на этих частотах в течение 15 мин. [9]
Операции измерения и испытания полупроводниковых приборов являются одними из основных в производственном процессе. На них занято около трети общего числа работников полупроводникового производства. [10]
Кроме описанных установок для испытания полупроводниковых приборов на воздействие повышенной и пониженной температуры известны и другие, например установка КТБ-0015-155, предназначенная для раздельного или одновременного испытания полупроводниковых приборов на воздействие повышенной температуры и пониженного давления. Испытания полупроводниковых приборов на устойчивость к циклическим изменениям температуры выполняют в обычных установках тепла и холода. [11]
Камеру холода ТТМ 295.00.00 применяют для испытания полупроводниковых приборов на воздействие отрицательных температур с замером некоторых параметров приборов и без их замера. В качестве хладоагента применяют жидкий азот, который, испаряясь, создает в рабочем объеме камеры отрицательную температуру - 60 С. [12]
Камера тепла и влаги предназначена для испытаний полупроводниковых приборов ( или других изделий) на теплоустойчивость и влагоустойчивость одновременно или раздельно. В камере имеются электровводы, позволяющие при необходимости испытывать полупроводниковые приборы в электрическом режиме и снимать необходимые характеристики в процессе испытаний. [13]
Фотон обладает производственной базой для изготовления и испытания полупроводниковых приборов, а также машиностроительным комплексом, оснащенным самым современным оборудованием. [14]
В книге подробно излагаются методы и операции настройки и испытания полупроводниковых приборов. Содержатся сведения о радиодеталях, измерительных приборах и схемах, которые необходимы для более глубокого понимания операций настройки и испытания. Книга кратко знакомит читателей с методами получения р-п переходов и технологическим процессом производства полупроводниковых приборов. Кроме того, в ней приведены сведения о вакуумной гигиене, технике безопасности, а также об организации труда на предприятиях полупроводниковой промышленности. [15]