Испытание - полупроводниковый прибор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Покажите мне человека, у которого нет никаких проблем, и я найду у него шрам от черепно-мозговой травмы. Законы Мерфи (еще...)

Испытание - полупроводниковый прибор

Cтраница 2


Ударная установка СУ-1 ( рис. 132, а), предназначенная для испытания полупроводниковых приборов на воздействие ударных нагрузок, состоит из ударного стенда, пульта управления и питания, а также электрометрического каскада и пьезодатчика ИДК-2М. Принцип действия стенда основан на свободном падении стола с испытываемыми изделиями и внезапном замедлении его движения.  [16]

Для контроля качества и надежности выпускаемой продукции на производстве применяют разного рода испытания полупроводниковых приборов.  [17]

В настоящее время разрабатываются методы использования [139] электронных лучей для автоматического изготовления и испытания полупроводниковых приборов.  [18]

Особое внимание уделено описанию схем измерительных устройств и технологических приемов при измерениях и испытаниях полупроводниковых приборов. Третье издание дополнено материалами о новых полупроводниковых приборах и измерении их параметров, а также о некоторых новых технологических операциях при производстве полупроводниковых приборов. Книга предназначена в качестве учебника для подготовки измерителей и испытателей полупроводниковых приборов в технических училищах.  [19]

В подготовке книги участвовал большой коллектив авторов, состоящий из специалистов, работающих в области создания, применения и испытаний полупроводниковых приборов. В главе седьмой § 7.1 написан И. Г. Бергельсоном и В. И. Минцем, § 7.2 - В. В. Мокряковым и Б. Л. Перельманом, § 7.3 - В.  [20]

В книге рассмотрены: основные технологические процессы полупроводникового производства; различные виды механической, химической и электрохимической обработки, изготовление фотошаблонов и процессы фотолитографии, процессы эпитаксии, диффузии, термического испарения в вакууме; методы защиты поверхности структур, сборка и герметизация приборов, типы корпусов, методы измерения параметров и испытания полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.  [21]

Кроме описанных установок для испытания полупроводниковых приборов на воздействие повышенной и пониженной температуры известны и другие, например установка КТБ-0015-155, предназначенная для раздельного или одновременного испытания полупроводниковых приборов на воздействие повышенной температуры и пониженного давления. Испытания полупроводниковых приборов на устойчивость к циклическим изменениям температуры выполняют в обычных установках тепла и холода.  [22]

23 Камера повышенного давления типа ЖК7603. [23]

Данное испытание проводится с целью проверки работоспособности полупроводниковых приборов в условиях повышенного давления окружающей среды. Режим испытания полупроводниковых приборов предусматривает повышенное давление до 3 ата при нормальной температуре. Электрическая нагрузка на приборы не подается, за исключением тех случаев, когда техническими условиями специально оговаривается ее необходимость. Выдержка приборов при повышенном давлении производится в течение 15 мин, В некоторых случаях выдержка длится до 2 час. После выдержки в камере повышенного давления производится измерение электрических параметров.  [24]

Система автоматического регулирования влажности в камере работает следующим образом. Подвижный контакт сухого термометра, служащего для контроля и автоматического поддержания температуры в камере, устанавливается на заданную влажность для испытаний полупроводниковых приборов в камере, а подвижный контакт мокрого термометра - на температуру, взятую по психрометрической таблице, соответствующую заданной относительной влажности.  [25]

Современные полупроводниковые приборы в силу действия физических процессов, которые лежат в основе их работы, весьма чувствительны к перегрузкам по току и напряжению. В первую очередь это относится к приборам малой мощности. Поэтому при измерениях и испытаниях полупроводниковых приборов необходимо принимать меры для их защиты от повреждений. В частности, по этой причине не следует применять пайку приборов при включенном напряжении питания измерительной установки. Надо избегать такого включения транзисторов, когда базовый вывод остается свободным, что приводит к резкому увеличению тока коллектора и может вывести прибор из строя.  [26]

Для защиты от статического электричества применяют следующие меры. При транспортировке внутри производственных помещений гибкие выводы маломощных приборов слегка скручивают между собой или объединяют общим металлическим хомутиком. Металлические части паяльников, используемых при работе с приборами, соединяют гибким плетеным проводником с заземленным кожухом, измерительного оборудования или столом. Оператор, занятый измерениями и испытаниями полупроводниковых приборов ( особенно туннельных диодов и полевых транзисторов), должен одевать на руку специальный заземляющий браслет. Он представляет собой кожаный ремешок, на котором расположена металлическая пластинка, плотно прилегающая к руке при затягивании ремешка. Пластинка соединяется гибким плетеным проводником с заземленной частью оборудования. Брать полупроводниковый прибор и устанавливать его в контактное приспособление надо рукой, на которой имеется браслет.  [27]



Страницы:      1    2