Испытание - транзистор
Cтраница 1
Испытание транзистора начинается с подключения его к клеммам Э, Б и К. [1]
Испытания транзисторов на стабильность характеристик показали, что у транзисторов малой мощности, работающих в режиме, близком к допустимому, в течение первых 50 ч работы наблюдается смещение вольт-амперной характеристики транзистора, включенного по схеме со свободной базой, примерно на 10 % в сторону увеличения тока. У транзисторов большой мощности смещение характеристик наблюдается до 150 ч непрерывной работы в режиме, близком к предельно допустимому, а величина приращения тока достигает 40 % i от первоначального значения. [2]
Испытание транзистора начинают с проверки на пробой между коллектором и эмиттером. Для этого переключатель Bt h22 - контроль пробоя) устанавливают в положение Контроль пробоя. Остальные переключатели оставляют в среднем положении. Если транзистор исправен, стрелка индикатора не должна отклоняться от нулевого положения. [3]
 |
Шкала простого испытателя транзисторов. [4] |
Предложенный метод испытания транзисторов наиболее рационален, так как предохраняет проверяемый транзистор от перегрева и повреждений, поскольку база находится под некоторым потенциалом. [5]
Приступая к испытаниям транзисторов, прежде всего необходимо определить, не пробиты ли переходы. Для этого омметр подключают поочередно к каждому переходу. Полярность подключения должна быть такой, чтобы ток через переход проходил в прямом направлении. [6]
Для проведения статистического анализа испытаний транзисторов на надежность ( в течение гарантийного срока службы цифровой машины) необходима высокопроизводительная испытательная аппаратура. Основное требование к такой установке сводится к тому, чтобы исключить ошибки, число которых может значительно превысить число действительных отказов транзисторов при испытании партии в несколько тысяч штук. [7]
Количество бракуемых в результате таких испытаний транзисторов легко может достичь 50 %, однако развитие технологии производства быстро снижает эту величину. [8]
 |
Схема прибора для разбраковки диодов и транзисторов. [9] |
Наиболее просто такие данные можно получить при испытании транзистора или диода по приведенной на рис. 87 схеме. [10]
Re при проверке коэффициента усиления ( рис. 15.1, а) выбираются такими, чтобы условия испытания транзистора были близки к реальным, а напряжение UK берется из таблицы параметров транзистора. [11]
В блоках А, В, С, Д и Е размещены схемы, с помощью которых осуществляется испытание транзисторов на срок службы, элементы подавления паразитной генерации, диодная защита от перенапряжений, нагрузочные цепи и органы коммутации внесхемных напряжений и токов соответственно. [12]
 |
Схема измерения обратного тока полупроводникового диода.| Схема измерения обратного тока коллекторного перехода / к о. [13] |
Измерение параметров часто производят на низких частотах - порядка 200 - 400 гц, источниками колебаний которых являются встроенные транзисторные генераторы; результаты таких измерений дают активные составляющие параметров, что для многих практических случаев оказывается достаточным. Для испытаний транзисторов на высоких частотах обычно используются внешние высокочастотные генераторы; при этом измеряют коэффициент; или р1, емкость коллекторного перехода Ск, объемное сопротивление базы гб или постоянную времени коллекторной цепи гб Ск. Значения переменных составляющих токов определяются посредством измерения падений напряжений на калиброванных резисторах небольшого сопротивления, включенных в цепи этих токов, при помощи встроенного транзисторного милливольтметра с большим входным сопротивлением. Для испытания транзисторов различных типов предусматривают переключатель р-п - р - п-р - п, позволяющий изменять полярность напряжений на электродах проверяемого транзистора и полярность включения измерителя постоянного тока. [14]
БИ, в котором имеется источник питания ИП транзисторов. Режим испытания транзисторов устанавливают согласно техническим условиям. Для механического воздействия на приборы устанавливают следующий режим: ударное ускорение 150 20 g при длительности ударного импульса 0 5 - 2 мс, частота 20 ударов в минуту, вибрационное ускорение 12 - 15 g при частоте 50 10 Гц; продолжительность испытаний 3 - 5 мин. [15]
Страницы: 1 2