Cтраница 2
Простейшим видом испытания транзисторов является проверка обоих диодных участков по их прямым и обратным сопротивлениям. Это может быть сделано с помощью простейших приборов постоянного тока или с помощью осциллографа. [16]
В этих структурах весьма вероятно развитие второго пробоя. Последний чаще всего проявляется при работе или испытаниях транзисторов в статическом режиме. [17]
Измерение параметров часто производят на низких частотах - порядка 200 - 400 гц, источниками колебаний которых являются встроенные транзисторные генераторы; результаты таких измерений дают активные составляющие параметров, что для многих практических случаев оказывается достаточным. Для испытаний транзисторов на высоких частотах обычно используются внешние высокочастотные генераторы; при этом измеряют коэффициент; или р1, емкость коллекторного перехода Ск, объемное сопротивление базы гб или постоянную времени коллекторной цепи гб Ск. Значения переменных составляющих токов определяются посредством измерения падений напряжений на калиброванных резисторах небольшого сопротивления, включенных в цепи этих токов, при помощи встроенного транзисторного милливольтметра с большим входным сопротивлением. Для испытания транзисторов различных типов предусматривают переключатель р-п - р - п-р - п, позволяющий изменять полярность напряжений на электродах проверяемого транзистора и полярность включения измерителя постоянного тока. [18]
Вывод, который не подсоединен к резистору, будет являться эмиттером в том случае, когда измеренное сопротивление оказывается меньше. Надо заметить, что эта методика определения коллектора и эмиттера не всегда подходит для мощных транзисторов, и обычно коллектор у них выведен на корпус, в этом случае лучше воспользоваться хотя бы простейшим прибором для испытания транзисторов. [19]