Исследование - диод
Cтраница 1
Исследование диодов из арсенида галлия [54] показало, что для них справедливы аналогичные зависимости плотности туннельного тока от приведенной концентрации. [1]
 |
Зависимость от напряжения смещения на близких часто. [2] |
Исследование диодов Шоттки из GaAs в поле СВЧ накачки показало, что при протекании прямых токов детектирования избыточные шумы отсутствуют. [3]
 |
Схема исследования диода. [4] |
Схема исследования диода приведена на рис. 1.1. Для подбора элементов схемы должен быть известен тип диода. [5]
При исследовании диодов с нелинейной емкостью ( варакторов) в качестве таких параметров могут быть использованы прежде всего емкость барьера, пробивное напряжение и последовательное сопротивление диода, первые два из которых определяются характеристиками материала на глубине слоя объемного заряда. [6]
 |
Прямые вольт-амперных характеристик для двух диодов, различающихся по значениям W / Lp. [7] |
Изготовление и исследование диодов, толщина базы которых не превышает трех диффузионных длин. Для изготовления диодов с более тонкой компенсированной областью использовались кристаллы SiC л-типа проводимости с удельным сопротивлением 10 - 2 - 5 ом см. Они подвергались диффузионному отжигу в течение 30 - 50 мин при температуре 1900 - 1950 С. [8]
 |
Прямые вольт-амперных характеристик для двух диодов, различающихся по значениям W / Lp. [9] |
Изготовление и исследование диодов, толщина базы которых не превышает трех диффузионных длин. [10]
Если в схеме для исследования диода ( рис. 3.8) ползунок потенциометра R поставить в среднее положение, то вольтметр покажет напряжение, равное не 0 5Еа, а меньшее. [11]
Исследования диодов с доменом показали, что их пробой начинается обычно у анода. Это обусловлено тем, что при достижении доменом анода увеличивается электрическое поле у анода. Поскольку поле в сечении анодного контакта может быть неоднородно, проникновение атомов из анодного контакта может привести к созданию высоколегированного проводящего канала, который в силу высокой проводимости будет шунтировать остальной объем диода. [12]
 |
Цоколевка диодов. [13] |
Реостат накала RH должен выдерживать нормальный ток накала и иметь такое сопротивление, чтобы можно было плавно регулировать напряжение накала лампы. Обычно для исследования диода достаточно уменьшать напряжение накала примерно в 3 раза по сравнению с его номинальным значением. [14]
 |
Схема для исследования триода. [15] |
Страницы: 1 2