Исследование - диод
Cтраница 2
Как было установлено, анодный ток триода является функцией двух напряжений: анодного и сеточного. В этой схеме цепи питания анода и накала лампы аналогичны цепям схемы для исследования диода. Цепь накала для упрощения чертежа не показана. [16]
 |
Вольт-амперная характеристика солнечного элемента на основе a - Si. F. Н со структурой металл - диэлектрик - полупроводник. площадь элемента - 4 2 мм2. интенсивность излучения - 83 мВт / см2. [17] |
Основная часть пленки a - Si: Н ( общей толщиной - 1 мкм) представляет собой нелегированный полупроводник, и лишь тонкий слой a - Si: Н, прилегающий к стальной подложке, обладает проводимостью Аг - типа, что обеспечивает омический контакт. При коэффициенте пропускания металлических контактов, равном 50 %, и площади элементов - 7 - Ю 2 см2 в условиях AMI получены следующие выходные характеристики: / sc9 6 мА / см2, У0с0 6 В и FF O51. Как показали выполненные Уилсоном и др. [16] исследования диодов с барьером Шоттки, носители, генерируемые вне области пространственного заряда, фактически не достигают перехода, что обусловливает необходимость создания тянущего электрического поля. При высокой температуре осаждения пленок a - Si: Н чувствительность элементов в длинноволновой области возрастает, однако при этом ухудшаются их диодные характеристики. [18]
Страницы: 1 2