Исследование - кристалл
Cтраница 2
 |
Кривая нагревания. Точка 20.| Кристаллы Ьа2 ( 5О4 з - 5 ( МН4 25О4 и ( NH4 2SO4. Эвтоническая. [16] |
При исследовании кристаллов твердой фазы под микроскопом отличить кристаллы этого двойного сульфата от водного двойного сульфата ( например, в точке jP2) нетрудно; обе фазы видны отчетливо, особенно при скрещенных николях, так как они имеют различную интенсивность двупрелом-ления и различный характер угасания. [17]
При коноскопическом исследовании триклинных кристаллов наблюдаются преимущественно фигуры косого несимметричного разреза, что с определенностью указывает на двуосность кристаллов, и в большинстве случаев позволяет определить их оптический знак. [18]
 |
Зависимость дифференциальных теплот адсорб. [19] |
При исследовании кристаллов Vll партии NaX под микроскопом была обнаружена примесь филипсита, в полости которого н-пентан не входит, поэтому можно было уменьшение общей емкости цеолита этой партии отнести за счет примеси и соответственно исправить навеску собственно NaX. [20]
Были проведены рентгенотопографические исследования кристаллов, полученных в условиях метода, разработанного для GaP [1, 2], где слой флюса В303 над расплавом достигал 10 мм. Кроме того, исследовали кристаллы, полученные по той же технологии, но из-под слоя флюса толщиной - 70 мм. Изучались нелегированные специально монокристаллы GaP n - типа проводимости с концентрацией носителей тока при комнатной температуре - 8 - 101в см-3. Образцами служили плоскопараллельные пластинки толщиной 300 - 400 мкм, вырезанные из области, прилегающей к затравке, середины и нижней части слитков. Пластины вырезались по плоскостям 111 и 100, перпендикулярным и наклонным к оси роста слитка. Все топограммы получены в режиме Бормана в СиКа-излучении. [21]
Этот метод исследования кристаллов весьма удобен и широко применим, тем более, что далеко не всегда изучаемое вещество может быть получено в виде монокристалла. Так, сталь представляет собой поликристалл с очень малыми и произвольно ориентированными монокристалликами. [22]
В основу исследований кристалла кладется следующее фундаментальное утверждение: распределение вещества в кристалле может быть представлено трехмерной периодической функцией. [23]
Этот метод исследования кристаллов весьма удобен и широко применим, тем более, что далеко не всегда изучаемое вещество может быть получено в виде монокристалла. Так, сталь представляет собой поликристалл с очень малыми и произвольно ориентированными монокристалликами. [24]
В основу исследований кристалла кладется следующее фундаментальное утверждение: распределение вещества в кристалле может быть представлено трехмерной периодической функцией. [25]
Наряду с исследованием поглощающего кристалла, на протяжении главным образом 60 - х годов началось всестороннее изучение интерференционных эффектов, сопровождающих динамическое рассеяние в кристаллах со слабо выраженным поглощением. Эти интерференционные эффекты, представляющие большой интерес с чисто физической точки зрения, открывают совершенно новые пути для точных определений важных количественных параметров как волнового поля в кристалле, так и самого кристалла. Значение интерференционных эффектов, в частности, определяется тем, что они позволяют измерить не только параметры идеальных кристаллов, но и характеристики различных искажений в реальных кристаллах. [26]
 |
Темнопольная электронно-микроскопическая фотография кристалла полиэтилена. Наличие светлой бахромы объясняется дифракционными эффектами. [27] |
Если при исследовании кристалла в электронном микроскопе добиться полного поглощения электронов, то ожидаемого равномерного затемнения экрана на самом деле не наблюдается. Скорее оказывается, что большинство кристаллов дифрагирует не полностью и условие Брэгга [ уравнение ( VII-3) ] выполняется только в определенных областях кристаллов. Такое явление может быть вызвано, например, наличием напряжений в кристалле или истинными нарушениями в его структуре. Поэтому на микрофотографиях кристалла эти области, соответствующие определенным углам отражения электронов от плоскостей кристаллической решетки, будут казаться более темными, поскольку они образованы меньшим числом электронов, чем остальное изображение. Такое возникновение бахромы Брэгга может иметь большое значение при исследовании однородности и тонкой структуры кристаллов. [28]
Применяется при исследовании кристаллов, поверхностей различных тел, строения молекул и др. Исследование проводится с помощью прибора - элек-тронографа. [29]
 |
Зависимость коэффициента поглощения от длины волны. [30] |
Страницы: 1 2 3 4