Cтраница 4
Экспериментально-статистические методы исследования объектов подразделяются на пассивные п активные. Пассивные базируются на использовании информации, полученной от действующего объекта в процессе его нормальной эксплуатации. Активные методы предполагают получение информации об объекте на основе специально спланированных экспериментов, в ходе которых осуществляются воздействия на управляемые переменные объекта. Оставляя в стороне пассивные экспериментально-статистические методы изучения производственных объектов, подробно описанные в книге пятой Справочника [1, 2], остановимся только на активных. [46]
Минимальное время исследования объекта определяется из условия получения таких минимальных сведений о пласте, по которым можно судить о типе насыщения пласта, пластовом давлении и проницаемых свойствах пласта, а также о величине его загрязнения. [47]
![]() |
Система автоматического регулирования по элементам. [48] |
Аналитические методы исследования объекта регулирования требуют глубоких знаний кинетики процесса в различных режимах работы объекта и при различных возмущениях. [49]
Если при исследовании объекта стало известно, что случайные помехи по своей природе не являются нормально распределенными, можно ли в этом случае применять метод наименьших квадратов. [50]
Если при исследовании естественных объектов или явлений модели являются единственным источником результатов и новых знаний, то в отношении искусственных объектов ( систем) правомерен вопрос: нужны ли модели таких объектов и дают ли они какие-либо новые знания. [51]
Они предназначены для исследования объектов, непрозрачных для видимого света, но прозрачных в ИК или УФ диапазонах спектра. Примером подобных задач может быть визуальный контроль структуры пластин кремния в микроэлектронике. [52]
Обычно сначала проводят исследование объекта на катионы, а затем уже определяют в нем анионы. Целесообразность такого способа работы заключается в следующем. [53]
Они предназначены для исследования объектов, непрозрачных для видимого света, но прозрачных в ИК или УФ диапазонах спектра. Примером подобных задач может быть визуальный контроль структуры пластин кремния в микроэлектронике. [54]