Длина - диффузия
Cтраница 3
При вычислении времени жизни по измеренным длинам диффузии предполагалось, что длина диффузии неосновных носителей тока изменяется с температурой как Т - 6 [ 6J; эта зависимость незначительна по сравнению с зависимостью самого времени жизни. [31]
Иными словами, ширина светового пучка не должна быть больше суммы длин диффузии неосновных носителей в р-п и р-областях. [32]
 |
Плотность дырок в базе при постоянном токе в р-п-р-кри - сталлическо. л триоде для двух значений напряжения эмиттера. [33] |
Если гиперболические функции записать через значения экспоненциальной функции, увидим, что длина диффузии может быть интерпретирована как линейный интервал, в котором концентрация носителей заряда падает ( благодаря рекомбинации) на 1 / е своей первоначальной величины. [34]
Образование электронно-дырочных пар при поглощении света вблизи поверхности происходит на расстоянии, много меньшем длины диффузии. Оптические постоянные германия таковы, что практически весь свет, обладающий энергией, достаточной для образования пар, поглощается на расстоянии 10 - 4 см от поверхности. [35]
Для применения односкоростной модели необходимо знать два физических параметра: коэффициент диффузии D и длину диффузии L. [36]
 |
Вольт-амперная характеристика ( ВАХ р - п-перехода. [37] |
Здесь / с еп Е / 1, причем длина ls по порядку величины равна сжатой длине диффузии носителей против внутр. Из-за этого с ростом U ток по ф-ле ( 9) растет медленнее, чем ток по ф-ле ( 7), и дает ему обогнать себя при достаточно больших смещениях. [38]
 |
Коэффициент отражения тепловых волн различной частоты от тонких воздушных в дюралюминии и углепластике ( ТФХ материалов в. [39] |
Графики ( рис. 3.8) показывают, что интерференция тепловых волн существенна при толщине покрытия менее одной длины диффузии. Этот факт может служить аргументом в пользу более глубокого проникновения фазы волны по сравнению с ее амплитудой, что делает фазовый анализ более предпочтительным. [40]
Совершенно аналогично концентрация инжектированных электронов в р-области будет тоже уменьшаться по экспоненциальному закону, но будет определяться длиной диффузии электронов L3 Л эгэ5 гДе - Дэ - коэффициент диффузии электронов, а тэ - время жизни электронов в р-области. [41]
Wn / 2ln Tt где п - концентрация основных носителей, W - толщина слоя, I - длина диффузии носителей, я - - концентрация собственных носителей. В Ge, Si и др. полупроводниках, как правило, W1, но в легированных полупроводниках пл /, что делает этот механизм существенным. [43]
Примем для водород-содержащих центров ( маленькие сферы или кубики, погруженныев урановую массу) размер, промежуточный между длиной диффузии теплового нейтрона до его захвата водородом и свободным пробегом нейтрона с энергией, соответствующей резонансной области урана. При этих условиях нейтроны, достигающие этой энергетической области, будут чаще сталкиваться с водородными ядрами и реже с урановыми, чем в гомогенной среде. После нескольких столкновений нейтроны достигнут энергии, которая будет ниже опасной области. [44]
Если построить кривую зависимости r U f ( x), то, очевидно, наклон ее будет равен длине диффузии Lp. Определив Lp, можно затем найти время жизни тр. [45]
Страницы: 1 2 3 4