Длина - диффузия
Cтраница 4
Проводимость перехода определяется ин-жекцией дырок в n - область и электронов в р-область, причем каждый из эффектов характеризуется длиной диффузии и временем жизни носителя данного типа в соответствующем материале. [46]
Задача состоит в вычислении распределения потока тепловых нейтронов вдоль оси длинного параллелепипеда ( из материала, для которого нужно определить длину диффузии), на одном конце которого расположен плоский источник моноэнергетических ( Ей Ет) нейтронов. [47]
Учтем, что прекурсорные явления характеризуются двумя масштабами длины: длиной Zph пробега квантов, ионизующих атомы в основном состоянии и длиной APh диффузии резонансного излучения. [48]
Теперь учтем неравномерное распределение примесей в базе на фимере р-п - р транзистора ( рис. 4 - 37, где LR - длина диффузии доно-юв) и покажем те следствия, к которым приводит такая неравномер-юсть. [49]
Теперь учтем неравномерное распределение примесей в базе на примере р-п - р транзистора ( рис. 4 - 37, где Ln - длина диффузии доноров) и покажем те следствия, к которым приводит такая неравномерность. Прежде всего очевидно, что слой базы, прилегающий к коллекторному переходу, является почти собственным полупроводником, так как здесь продиффундировавшие донорные атомы в значительной. Следовательно, удельное сопротивление этого слоя базы велико и коллекторный переход оказывается довольно широким. Соответственно емкость Ск получается значительно ( почти на порядок) меньшей, чем у сплавных транзисторов; она может составлять несколько пикофарад и менее. [50]
Величины аи и известны из размеров образца, а &300 - из наклона кри-ной; таким образом, из формулы (5.128) получаем длину диффузии. [51]
ТВЭЛ в начальный момент переходного процесса; / о - модифицированная функция Бесселя первого рода нулевого порядка; к - величина, обратная длине диффузии тепловых нейтронов; v - реактивность реактора; р - доля запаздывающих нейтронов; о - среднее время жизни нейтронов. [52]
Таков вид выражения для 1, полученного нами в результате весьма нестрогого подсчета, в основе которого лежит допущение законности простого суммирования средних квадратов длин диффузии и замедления, как это было описано в последнем разделе. [53]
Как и при расчете элементов матриц [ DG ] и [ DJ, в приведенных выше уравнениях следует принимать средние значения концентраций жидкости по длине диффузии. [54]
Дополнительное падение напряжения в германии вне области объемного заряда остается при прямом токе, как следует из ( 34), очень малым только при условии, что длина диффузии Lp значительно больше w, примерно, равной толщине пластинки германия. [55]
Заметим, что чем большую роль играет диффузия, тем больше расстояние, па которое нарушение распространяется вдоль образца, и, следовательно, величину На можно назвать длиной диффузии потока против поля, так как электрическое поле в данном случае препятствует распространению. О) - 1 / 2, т.е. равно длине диффузии. [56]
По мере возрастания тока через р - n - p - n полупроводниковую структуру тиристора увеличивается падение напряжения на толще широкой базы n - типа, что приводит к увеличению длины диффузии дырок. В тот момент, когда дырки в широкой базе достигнут среднего р-п перехода и под действием внешнего электрического поля окажутся втянутыми в узкую базу тиристора, этап 2 заканчивается. [57]
 |
Токи IF и IR для р - я-перехода. [58] |
Согласно теории р - / г-перехода, разработанной Шокли [20], токи, которые текут через переход ( они обозначены буквами IF и IR на рис. 4.1), значительно больше, чем выходной ток, и превышают его на множитель, примерно равный отношению длины диффузии к средней длине свободного пробега. Выходной ток ID есть разность между 1Р и IR, и ее величина относительно IF и IR столь мала, что при расчетах распределений носителей через переход ее, как правило, полагают равной нулю. При прямом смещении это соответствует предположению, что квазиуровни Ферми остаются постоянными в области обедненного слоя и разделяются при приложении напряжения. [59]
На основании проведенного анализа в работе [48] предложена следующая модель аннигиляции позитронов и связанный с ней механизм релаксационного процесса: до деформации все позитроны аннигилируют из захваченного в мелкие ловушки состояния с энергией связи, немногим превышающей тепловую энергию; после деформации появляются достаточно протяженные ( в сравнении с длиной диффузии позитрона) области, в которых концентрация мелких ловушек ( размером - 10 нм) значительно снижается, одновременно образуются разрыхленные области с глубокими центрами захвата позитрона, время жизни позитронов в которых больше; релаксация происходит таким образом, что образованные при деформации поры рекомбинмруют и, кроме того, увеличиваются в результате слияния. [60]
Страницы: 1 2 3 4