Длина - дрейф
Cтраница 1
Длина дрейфа характеризует степень магнитной активации воды. [1]
Наличие примесей железа существенно изменяет проводимость кристаллов и влияет на длину дрейфа и диффузии электронов. В различных кристаллах эти величины варьируются от единиц ангстрем до единиц микрометров. [2]
 |
Качественная зависимость амплитуды модуляции считывающего света т от экспозиции ПВМС записывающим светом W0. [3] |
В разделе 4.6 был рассмотрен случай малого поглощения, когда z0 равна длине дрейфа фотоэлектронов. [4]
 |
Распределение избы - Г - L 21 - lie - ( Ьо. о4. [5] |
Величина IE численно равна пути, который проходят неравновесные частицы за время жизни со скоростью дрейфа, поэтому ее называют длиной дрейфа неравновесных носителей заряда. Таким образом, поле Е будем считать большим, если длина дрейфа намного превос-ходит диффузионную длину. [6]
Величина / Е численно равна пути, который проходят неравновесные частицы за время жизни со скоростью дрейфа, поэтому она называется длиной дрейфа неравновесных носителей заряда. Таким образом, поле Е будем считать большим, если длина дрейфа намного превосходит диффузионную длину. [7]
 |
Пространственно-временная диаграмма группирования электронов в трехрезона-торном клистроне.| Зависимость времени прихода электронов к плоскости х от фазы модулирующего напряжения. [8] |
Иначе говоря, за счет влияния поля в зазоре промежуточного резонатора существенно повышается эффект группирования по сравнению с тем эффектом, который мог бы быть достигнут на той же длине дрейфа ( между первым и третьим резонаторами), но в отсутствие промежуточного резонатора. [9]
Как идно из ч ( 1.12), в данном случае поле решетки практически совпадает по фазе ( несмещенная решетка) с решеткой записывающего света, и его амплитуда не зависит от kx, но в то же время зависит от длины дрейфа. В другом предельном случае ( kx 1) решетка отрицательного заряда фактически не формируется, так как электроны размываются равномерно по кристаллу. [10]
Величина / Е численно равна пути, который проходят неравновесные частицы за время жизни со скоростью дрейфа, поэтому она называется длиной дрейфа неравновесных носителей заряда. Таким образом, поле Е будем считать большим, если длина дрейфа намного превосходит диффузионную длину. [11]
 |
Распределение избы - Г - L 21 - lie - ( Ьо. о4. [12] |
Величина IE численно равна пути, который проходят неравновесные частицы за время жизни со скоростью дрейфа, поэтому ее называют длиной дрейфа неравновесных носителей заряда. Таким образом, поле Е будем считать большим, если длина дрейфа намного превос-ходит диффузионную длину. [13]
Природа этого эффекта неясна. Ранее мы объяснили образование плато с ростом частоты тем, что амплитуда осциллирующей длины дрейфа слабо локализованных электронов вблизи центра уровня становится меньше длины локализации. Мы также предполагали, что очень высокие частоты вызывают отклик локализованных электронов в хвостах уровней Ландау, а это приводит к исчезновению плато. Для исследованных нами структур отклик носителей, локализованных в хвостах, по всей вероятности, увеличивается с ростом частоты. [14]
 |
Профили распределения легирующей примеси в слоях n - i - p a - Si. Н, полученные с помощью ионного микроанализатора. [15] |
Страницы: 1 2